[发明专利]一种晶体振荡器的控温方法、晶体振荡器及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体振荡器的控温方法，其特征在于，在用于固定晶体的基板上设置隔热区，使所述隔热区位于所述晶体的周部和下方的至少一侧，减少所述晶体与所述基板的热量传导。

2.根据权利要求1所述的一种晶体振荡器的控温方法，其特征在于，所述隔热区包括开设在所述基板上的隔热槽，通过减少所述晶体与所述基板之间的固体热量传导面积，利用空气对所述晶体与所述基板进行隔热，减少所述晶体与所述基板之间的热量传导。

3.根据权利要求1所述的一种晶体振荡器的控温方法，其特征在于，所述隔热区包括开设在所述基板上的隔热槽和填充在所述隔热槽内的隔热材料，利用所述隔热材料阻碍所述晶体与所述基板之间的热量传导。

4.一种晶体振荡器，包括基板和固定设置在所述基板上的晶体，其特征在于，所述基板上设置有隔热槽，所述隔热槽位于所述基板安装所述晶体的一侧，所述隔热槽位于所述晶体的周部和下方的至少一侧。

5.根据权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述基板上并位于所述晶体的周部设置有所述隔热槽，所述隔热槽环绕所述晶体。

6.根据权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述基板上并位于所述晶体的周部间隔设置有四个所述隔热槽，四个所述隔热槽呈矩形布局，四个所述隔热槽在矩形的四个折角处具有间隙。

7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述隔热槽靠近所述晶体的一侧延伸至所述晶体的下方，使所述晶体的底部一部分与所述基板分离。

8.根据权利要求4至7任一项所述的晶体振荡器，其特征在于，所述隔热槽的深度为所述基板厚度的1/4至3/4。

9.根据权利要求4至7任一项所述的晶体振荡器，其特征在于，所述隔热槽内设置有具有良好隔热性能的隔热材料。

10.一种根据权利要求4所述的晶体振荡器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、确定晶体位置：提供晶体和基板，确定所述晶体在所述基板上的固定位置；

S20、确定隔热槽位置：将所述基板上并位于所述晶体的周部和下方的至少一侧确定为隔热槽开设位置；

S30、开设隔热槽：在S20中确定的位置铣削基板，形成隔热槽；

S40、固定晶体：将晶体固定安装在所述基板上。