[发明专利]一种倒装芯片封装散热结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410849393.3 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104681512A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 马晓波;谢建友;于大全;庞诚 申请(专利权)人: 华天科技(西安)有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 代理人:
地址: 710018 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 倒装 芯片 封装 散热 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种倒装芯片封装散热结构,其特征在于,所述结构包括基板(1)、芯片凸点(2)、倒装芯片(3)、至少一个金属柱(4)和塑封体(5);所述基板(1)通过芯片凸点(2)与倒装芯片(3)连接,塑封体(5)包围芯片凸点(2)、倒装芯片(3)和基板(1)的上表面,所述金属柱(4)位于倒装芯片(3)的顶面,金属柱(4)阵列排布,金属柱(4)埋入塑封体(5)内,金属柱(4)顶面高于塑封体(5)顶面。

2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装散热结构,其特征在于,所述金属柱(4)材料是铜、铝、铁、锡中的一种或几种。

3.一种倒装芯片封装散热结构的制备方法,其特征在于,其按照以下具体步骤进行:

步骤一:基板(1)通过芯片凸点(2)与倒装芯片(3)连接,塑封体(5)包围芯片凸点(2)、倒装芯片(3)和基板(1)的上表面;

步骤二:在塑封体(5)制作阵列槽(6),阵列槽(6)从塑封体(5)延伸到倒装芯片(3)上表面,阵列槽(6)排布间距及数目根据芯片大小而定;

步骤三:在阵列槽(6)内制作金属柱(4);

步骤四:将已制作出金属柱(4)的塑封体(5)削减一定高度。

4.根据权利要求3所述的一种倒装芯片封装散热结构的制备方法,其特征在于,步骤二的阵列槽(6)制作方法是蚀刻或者激光钻孔。

5.根据权利要求3所述的一种倒装芯片封装散热结构的制备方法,其特征在于,步骤三的金属柱(4)的制作方法是电镀、溅射、金属胶体、印刷、丝网印刷、低温烧结或者激光烧结方法。

6.根据权利要求3所述的一种倒装芯片封装散热结构的制备方法,其特征在于,步骤四的削减方法是蚀刻或者激光钻孔。

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