[发明专利]高频励磁装置

权利要求书

1.一种高频励磁装置，其特征在于，所述高频励磁装置用于向励磁线圈提供励磁电流，从而给被测浆液流体提供周期变化的磁场，其中，所述高频励磁装置包括：恒流源电路、励磁电路与时序产生电路，所述励磁电路包括H桥电路与励磁线圈，所述励磁线圈电连接在所述H桥电路中端，所述恒流源电路连接所述H桥电路高端，通过采用可调线性低压电源对所述励磁线圈供电，所述时序产生电路用于根据数字信号处理器产生时序，以控制所述励磁电路开启与关闭；

在所述H桥电路中端，所述励磁线圈的两端并联保护二极管D3与保护二极管D4，所述保护二极管D3的正极与所述保护二极管D4正极相连，所述保护二极管D3与所述保护二极管D4的负极分别连接所述励磁线圈两端，其中，所述保护二极管D3与所述保护二极管D4节点之间接地。

2.根据权利要求1所述的高频励磁装置，其特征在于，所述恒流源电路包括低压线性电源U1、电阻R1与二极管D5，所述二极管D5的正极连接所述低压线电源U1的输出端，所述二极管D5的负极连接所述低压线电源U1的输入端；所述低压线性电源U1的输出端与调节端之间连接电阻R1。

3.根据权利要求2所述的高频励磁装置，其特征在于，所述恒流源电路与所述H桥电路之间还连接吸收电路Z1，所述吸收电路Z1用于限制恒流源输出过压。

4.根据权利要求1所述的高频励磁装置，其特征在于，所述励磁电路中H桥电路高端由三极管T1与三极管T2组成，所述励磁电路中所述H桥电路低端由N沟道MOS管Q3与N沟道MOS管Q4组成，所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2，其中，所述二极管D1的正极连接所述三极管T1的集电极，所述二极管D1的负极连接所述三极管T1的发射极；所述二极管D2的正极连接所述三极管T2的集电极，所述二极管D2的负极连接所述三极管T2的发射极。

5.根据权利要求4所述的高频励磁装置，其特征在于，所述H桥电路上设有限流电阻R2，其中所述限流电阻R2串联在所述H桥电路低端与接地端之间。

6.根据权利要求1所述的高频励磁装置，其特征在于，所述时序产生电路包括核心控制部件数字信号处理芯片U2，多路开关芯片U3；其中，所述数字信号处理芯片U2型号为TMS320F2812，所述多路开关芯片U3型号为CBT3257A，所述数字信号处理芯片U2上外设发出励磁控制信号，结合多路开关产生励磁时序，控制励磁电路；所述数字信号处理芯片U2的第45脚、第51脚、第53脚和第55脚分别与所述多路开关芯片U3第15脚、第9脚、第12脚和第1脚对应连接；所述多路开关芯片U3的第10脚、第11脚、第12脚和第13脚分别对应连接所述励磁电路中S4、S3、S2和S1输入时序控制信号连接。