[发明专利]一种由高氢含量粉末制备的钕铁硼永磁体及其制备工艺

权利要求书

1.一种由高氢含量粉末制备的钕铁硼永磁体，其特征是：其用料及用料用量的质量百分比为：

（PrNd）合金：30.0%，Fe：67.4%，Al：0.5%，Cu: 0.5%， Co：0.6%，B：1.0%，其中PrNd合金的Pr与Nd的质量比为20:80。

2.一种由高氢含量粉末制备的钕铁硼永磁体的制备工艺，其特征是：包括如下步骤：

（1）配料，熔炼制备母合金速凝铸片，其中配料的质量百分比为：（PrNd）合金：30.0%，Fe：67.4%，Al：0.5%，Cu: 0.5%， Co：0.6%，B：1.0%；

（2）甩带薄片进行氢破碎（HD）处理；

（3）气流磨(JM)处理；

（4）磁场取向压型及冷等静压处理；

（5）真空烧结以及时效热处理获得钕铁硼磁体。

3.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（1）所述熔炼，于标准的工业用真空感应熔炼甩带炉中进行，合金在完全熔化后保温15～30分钟在进行浇铸甩带。

4.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（2）所述氢破碎（HD）处理采用工业化NdFeB氢破碎生产工艺，过程包括在150～350 ℃下活化0.5～1 h，然后进行吸氢2～4 h，之后在500～600 ℃下脱氢4～8 h，最后水冷到30 ℃以下。

5.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（3）所述气流磨（JM）处理采用工业化NdFeB气流磨工艺，把HD处理的的合金粗粉放入系统氧含量为0.02%的气流磨粉机中，转速为2300～3000转/分钟，时间为4 h。

6.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（4）所述磁场取向压型处理，其取向磁场为1.0～2.0 T，在密封的无空气的手套箱中进行。

7.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（4）所述冷等静压处理处理，其压力为50～500 Mpa，磁体处于无氧或低氧环境中。

8.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（5）所述真空烧结以及时效热处理，于真空烧结炉内进行，烧结温度为1000～1200℃，烧结时间为4～6 h。

9.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征是：步骤（5）所述时效热处理，于真空烧结炉内进行，分两次进行，第一次时效热处理温度为800～900℃，时间为1～3 h；第二步时效热处理的时效温度为400～600℃，时间为4～6 h。