[发明专利]一种TSV Interposer结构及其封装方法

权利要求书

1.一种TSV Interposer结构，其包括硅基本体（11）和硅通孔（111），所述硅通孔（111）上下贯穿该硅基本体（11），

其特征在于，所述硅基本体（11）的一表面设置绝缘层（2），所述绝缘层（2）延伸至硅通孔（111）并布满硅通孔（111）的内壁、且于所述硅通孔（111）的底部开设绝缘层开口（211），

所述绝缘层（2）的表面选择地设置再布线金属层Ⅰ（41），所述再布线金属层Ⅰ（41）的表面沿绝缘层（2）进入并填充实硅通孔（111），所述再布线金属层Ⅰ（41）于硅基本体（11）的上方的最外层设置输入/输出端Ⅰ（411），所述再布线金属层Ⅰ（41）的表面覆盖保护层（5），并形成保护层开口（51），露出输入/输出端Ⅰ（411），

硅基本体（11）的另一表面设置再布线金属层Ⅱ（42），所述再布线金属层Ⅱ（42）于绝缘层开口（211）处与再布线金属层Ⅰ（41）连接，所述再布线金属层Ⅱ（42）的最外层设有输入/输出端Ⅱ（421），所述再布线金属层Ⅱ（42）的最内层与硅基本体（11）的另一表面之间设置介电层（31），所述输入/输出端Ⅱ（421）设置连接件（7）。

2.根据权利要求1所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：所述硅通孔（111）的横截面呈圆形，其直径为60～150微米，其深度为50～150微米。

3.根据权利要求1所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：所述再布线金属层Ⅰ（41）和/或再布线金属层Ⅱ（42）为复数层结构。

4.根据权利要求1所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：所述连接件（7）为焊球或焊块或顶端为焊球的金属微柱。

5.根据权利要求3所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：所述绝缘层（2）呈薄膜状。

6.根据权利要求3所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：于硅通孔（111）内的所述绝缘层（2）的厚度范围为10～30微米。

7.根据权利要求3所述的一种TSV Interposer结构，其特征在于：所述再布线金属层Ⅱ（42）的最外层为介电层（33），并形成介电层开口（331），露出输入/输出端Ⅱ（421）。

8.一种TSV Interposer结构的封装方法，包括步骤：

取晶圆（10），并在晶圆（10）的一面通过刻蚀的方法开设盲孔Ⅰ（101）；

通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层（2）压合在晶圆（10）的表面和盲孔Ⅰ（101）内；

通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ（101）内开设盲孔Ⅱ（210），盲孔Ⅱ（210）的底部开设绝缘层开口（211）；

通过再布线工艺在绝缘层（2）的表面选择地形成再布线金属层Ⅰ（41），该再布线金属层Ⅰ（41）按设计规划沿绝缘层（2）进入临近的盲孔Ⅱ（210），并填充实盲孔Ⅱ（210），再布线金属层Ⅰ（41）于晶圆（10）的上方设置输入/输出端Ⅰ（411）；

保护层（5）覆盖于再布线金属层Ⅰ（41），并形成保护层开口（51），露出输入/输出端Ⅰ（411）；

通过机械抛磨的方法减薄晶圆（10）的另一面，直至露出再布线金属层Ⅰ（41）在盲孔Ⅱ（210）的末端，形成减薄面（120），并使盲孔Ⅰ（101）成为硅通孔（111）；

通过再布线工艺在减薄面（120）上形成再布线金属层Ⅱ（42），该再布线金属层Ⅱ（42）于绝缘层开口（211）处与再布线金属层Ⅰ（41）连接，再布线金属层Ⅱ（42）的最外层设有输入/输出端Ⅱ（421），该再布线金属层Ⅱ（42）的最内层与晶圆（10）的另一表面之间设置介电层（31），其最外层为介电层（33），并形成介电层开口（331），露出输入/输出端Ⅱ（421）；

在输入/输出端Ⅱ（421）设置连接件（7）；

将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片，形成单体。