[发明专利]一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

（1）将GaAs衬底发光二极管的晶片与硅片键合在一起，此时的GaAs衬底发光二极管的晶片已经蒸镀好P型金属电极，硅片的抛光面蒸镀有TiAu或PtAu膜，TiAu或PtAu膜上蒸镀有Sn膜；

（2）将键合后的晶片放入衬底腐蚀液中，腐蚀GaAs衬底5-10分钟，有大量气泡产生时，取出放入去离子水中，将晶片沿垂直方向转动180度，然后重新放入衬底腐蚀液继续腐蚀20-50分钟，将GaAs衬底完全腐蚀掉；

（3）待GaAs衬底腐蚀完成后，放入去离子水中，刮除晶片边缘残留的金属膜层；GaAs衬底腐蚀完成后，表面会留下一层阻挡层；

（4）冲洗干净晶片表面的药品及附着在上面的金属粉末；然后使用硫酸溶液对晶片表面的阻挡层进行腐蚀，1-3分钟后取出；

（5）阻挡层腐蚀完成后，在晶片的对版标记处贴上面积比套刻对版标记大的耐高温胶带条；

（6）然后进行N型金属电极的蒸镀，蒸镀完成后，用镊子将耐高温胶带条撕去，此时的N型金属电极的金属膜相当于掩蔽膜的作用，保护窗口区域以外不被腐蚀，露出待腐蚀的窗口区域，使用窗口腐蚀液腐蚀窗口，腐蚀完成后得到清晰的套刻对版标记图形。

2.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，其特征是，所述衬底腐蚀液为氨水与水体积比为1:5的混合液。

3.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，其特征是，所述硫酸溶液为体积比为1:10的硫酸水溶液。

4.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，其特征是，所述窗口腐蚀液为柠檬酸与水体积比为1:3的混合液。