[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构有效
| 申请号： | 201410844125.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104485361B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘张李;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 射频 开关 器件 结构 | ||
1.一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的器件层、布置在器件层上的栅极氧化物结构、布置在栅极氧化物结构上的梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构；其中，器件层包括源漏区以及处于源漏区之间的器件沟道区；梳状源结构以及梳状漏结构通过接触孔连接至源漏区；其中梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构的梳齿相互平行，而且梳状源结构的梳齿以及梳状漏结构的梳齿交替布置；而且在梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿之间布置有梳状栅结构的梳齿；并且，梳状源结构以及梳状漏结构处于同一层，梳状源结构以及梳状漏结构处于梳状栅结构的上层，且梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此不正面相对。
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，梳状源结构的梳齿与梳状栅结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此重叠，梳状漏结构的梳齿与梳状栅结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此平行。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向彼此不邻接。
4.一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的器件层、布置在器件层上的栅极氧化物结构、布置在栅极氧化物结构上的迂回弯曲型栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构；其中，器件层包括源漏区以及处于源漏区之间的器件沟道区；梳状源结构以及梳状漏结构通过接触孔连接至源漏区；其中梳状源结构以及梳状漏结构的梳齿相互平行，而且梳状源结构的梳齿以及梳状漏结构的梳齿交替布置；而且在梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿之间布置有迂回弯曲型栅结构的一部分；并且，梳状源结构以及梳状漏结构处于同一层，梳状源结构以及梳状漏结构处于迂回弯曲型栅结构的上层，其中梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此不正面相对。
5.根据权利要求4所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向彼此不邻接。
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