[发明专利]一种低相位噪声的电感电容压控振荡器在审
| 申请号： | 201410844121.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104485950A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈丹凤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;H03B5/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相位 噪声 电感 电容 压控振荡器 | ||
1.一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，包括第一镜像恒流源、第二镜像恒流源、压控振荡器，其特征在于：所述电感电容压控振荡器还包括动态电流源噪声抑制电路，所述第一镜像恒流源的输出连接至所述动态电流源噪声抑制电路以作为后续电路的偏置，所述所述动态电流源噪声抑制电路受控于所述压控振荡器的输出，用于在所述压控振荡器的输出高出阈值后关断偏置电流，其输出连接至所述第二镜像恒流源。
2.如权利要求1所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述动态电流源噪声抑制电路包括串联连接的第五PMOS管与第六PMOS管，所述第六PMOS管漏极接所述第一镜像恒流源输出端，源极连接所述第五PMOS管漏极，所述第五PMOS管源极连接至第二镜像恒流源的偏置输入端，所述第五PMOS管与第六PMOS管的栅极分别接所述压控振荡器的两输出端。
3.如权利要求2所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第一镜像恒流源将基准电流源按1：N镜像为一较大电流输出至所述动态电流源噪声抑制电路用作后续电路的偏置。
4.如权利要求3所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第一镜像恒流源至少包括基准电流源、栅漏相连的第七NMOS管以及作为镜像输出管的第八NMOS管，所述基准电流源连接所述第七NMOS管漏极，所述第八NMOS管漏极连接至所述第六PMOS管漏极，所述第七NMOS管以及第八NMOS管源极接地，栅极互连。
5.如权利要求3所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第二镜像恒流源将所述动态电流源噪声抑制电路输出的偏置电流按1：M镜像为一较大电流供给所述压控振荡器。
6.如权利要求5所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第二镜像恒流源为典型的PMOS恒流源。
7.如权利要求6所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第二镜像恒流源至少包括栅漏短接的第二PMOS管及作为镜像输出管的第一PMOS管，所述第五PMOS管源极连接至所述第二PMOS管的栅漏短接端，所述第一PMOS管漏极连接所述压控振荡器，所述第一PMOS管与第二PMOS管栅极相连，源极均连接电源电压。
8.如权利要求7所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第一PMOS管漏极连接所述压控振荡器的两交叉耦合管的源极。
9.如权利要求2所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述压控振荡器的两个交叉耦合管的漏极为所述压控振荡器的两输出端，分别连接所述第五PMOS管与第六PMOS管的栅极。
10.如权利要求1所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述压控振荡器为电感电容压控振荡器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410844121.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
