[发明专利]一种MEMS加速度传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410843881.3 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN105785072A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 何昭文 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01P15/08 分类号: G01P15/08;B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;赵礼杰
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 mems 加速度 传感器 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种MEMS加速度 传感器及其制造方法。

背景技术

在半导体技术领域中,MEMS加速度传感器由于量产成本小, 片与片之间的性能匹配度好,工艺与IC电路工艺相兼容而得到了广 泛的研究,是国内外比较成熟又比较热门的一种MEMS器件。其中 叉指式电容传感器由于具有灵敏度高、线性度好、噪音低等优点在 MEMS加速度传感器中最为常用。

虽然三轴加速度传感器是MEMS加速度传感器研究的重点和热 点,但是单向性加速度传感器仍具有举足轻重的地位,因为单轴加速 度传感器工艺简单,设计方便,可以不受复杂工艺影响,因此具有稳 定的优良性能。例如,用于汽车安全的自动启动安全气囊的加速度传 感器就是一种单轴加速度传感器,这种传感器应当具有方向灵敏度 高,高最大量程(安全气囊加速度传感器的最大量程至少在50g以上) 等特点。

为了避免误启动安全气囊,这种加速度传感器的一个重要特点就 是不能受其他方向的加速度的影响,例如不能因为Y轴或Z轴方向 上的加速度导致侦测X轴向加速度的加速度传感器测量值偏差太大。

现有的一种应用于安全气囊的单轴加速度传感器的结构如图1 所示,该加速度传感器包括长方形的质量块101、设置于质量块101 的窄的两端(第一组对边)的用于固定质量块的框型弹簧102、设置 于质量块101的宽的两端(第二组对边)的齿形结构103以及设置于 质量块的第二组对边的两侧且与齿形结构103相对应的检测电极 1031。这种结构的加速度传感器容易受其他方向的加速度的交叉影 响,从而容易引起安全气囊的误启动。

对现有的上述常规设计的MEMS加速度传感器进行力学模拟如 下:

质量块101的厚度为50μm,长度为1000μm,宽度为200μm, 质量块两端采用框型弹簧102固定,弹簧宽度为7μm。质量块101 的弹性模量为1.69×1011Pa,泊松比(PRXY)为0.23,密度(DENS) 为2.4×103Kg/m3。其中,为了简便,质量块上的齿形结构等因质量 非常小从而对质量块运动的影响可以忽略,因而不予计入。

在X和Y轴加速度均为30g时,模拟数据为:质量块在X轴上 的位移为0.119μm,Y轴上的位移为0.114μm。显然,Y轴上如此大 的位移会严重影响MEMS加速度传感器对X轴方向上的加速度的侦 测。

由此可见,现有的上述单轴加速度传感器的结构容易受除预定方 向(例如X轴方向)之外的其他方向(例如Y轴方向)上的加速度 的交叉影响,从而影响加速度传感器对预定方向上的加速度的侦测, 最终导致由该加速度传感器控制的设备(例如安全气囊灯)的误操作。 因此,为解决上述技术问题,有必要提出一种新的加速度传感器的结 构。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提出一种MEMS加速度传感器及 其制造方法,可以使加速度传感器的灵敏度不受其他方向的加速度的 影响,使加速度传感器的方向侦测性提高。

本发明的一个实施例提供一种加速度传感器,包括:

质量块;

设置于所述质量块的第一组对边上的用于在第一方向上固定所 述质量块的第一弹簧,其中所述第一弹簧为框型弹簧;

设置于所述质量块的第二组对边上的齿形结构;

设置于所述质量块的第二组对边的两侧且与所述齿形结构相对 应的检测电极;

设置于所述质量块的所述第二组对边的用于在第二方向上固定 所述质量块的第二弹簧,其中所述第二弹簧为S型弹簧,所述第二方 向垂直于所述第一方向。

可选地,所述质量块为矩形。

可选地,位于所述第二组对边上的所述第二弹簧对称设置。

可选地,所述第二弹簧位于所述第二组对边的中间位置。

可选地,所述质量块、所述第一弹簧、所述齿形结构、所述检测 电极和所述第二弹簧的材料相同。

本发明的另一个实施例提供一种MEMS加速度传感器的制造方 法,所述方法包括:

步骤S101:提供基底,在所述基底上形成牺牲层,在所述牺牲 层上形成传感器材料层;

步骤S102:对所述传感器材料层进行刻蚀以形成加速度传感器, 其中所述加速度传感器包括:

质量块;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410843881.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top