[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供包括逻辑器件区和存储单元区的半导体衬底，在所述逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜，并在所述存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层；

步骤S102：形成位于所述栅极两侧的栅极侧壁层和位于所述浮栅两侧的浮栅侧壁层；

步骤S103：形成覆盖所述半导体衬底的导电材料层，对所述导电材料层进行刻蚀以形成位于所述逻辑器件区的导电互连件以及位于所述存储单元区且位于所述栅间介电层上方的控制栅。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S101包括：

步骤S1011：在半导体衬底上形成覆盖逻辑器件区和存储单元区的栅极材料层以及位于所述栅极材料层之上的介电层；

步骤S1012：对所述介电层和所述栅极材料层进行刻蚀，以在所述逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜，在所述存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述栅极硬掩膜和所述栅间介电层的材料相同。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述栅极硬掩膜和所述栅间介电层包括氮化硅、或氧化硅/氮化硅构成的复合层结构、或氧化硅/氮化硅/氧化硅构成的复合层结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述栅极侧壁层和所述浮栅侧壁层采用相同材料在同一工艺中制备。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：形成覆盖所述半导体衬底的导电材料层；

步骤S1032：在所述导电材料层上形成硬掩膜层和掩膜层；

步骤S1033：利用所述掩膜层和所述硬掩膜层对所述导电材料层进行刻蚀，以形成位于所述逻辑器件区的导电互连件以及位于所述存储单元区并且位于所述栅间介电层上方的控制栅。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述导电材料层的材料包括多晶硅或金属。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：去除所述栅极硬掩膜。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

通过离子注入形成源极和漏极；

形成覆盖所述栅极、所述控制栅以及所述导电互连件的金属硅化物；

形成层间介电层以及位于所述层间介电层内的接触孔。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件包括多次可编程器件，所述逻辑器件包括NMOS和/或PMOS。

11.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件的制造方法包括如下步骤：

步骤S101：提供包括逻辑器件区和存储单元区的半导体衬底，在所述逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜，并在所述存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层；

步骤S102：形成位于所述栅极两侧的栅极侧壁层和位于所述浮栅两侧的浮栅侧壁层；

步骤S103：形成覆盖所述半导体衬底的导电材料层，对所述导电材料层进行刻蚀以形成位于所述逻辑器件区的导电互连件以及位于所述存储单元区且位于所述栅间介电层上方的控制栅。