[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及所述薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层，所述蚀刻阻挡层上设有第一贯孔和第二贯孔；源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置在所述第二半导体层上且分别对应所述第二半导体层的两端设置，所述源极和所述漏极分别通过所述第一贯孔和所述第二贯孔与所述第一半导体层相连；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层层叠设置在所述源极和所述漏极上；及栅极，所述栅极层叠设置在所述栅极绝缘层上。本发明薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法制备出的薄膜晶体管具有较大的开态电流及较快的开关速度。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。薄膜晶体管由于可以应用在高分辨率(high pixels per inch，high PPI)的显示设备上而得到广泛地关注。对于薄膜晶体管而言，高的开态电流可以增加所述晶体管的开关速度。为了增加所述薄膜晶体管的开态电流，通常的做法是增加薄膜晶体管中沟道的宽度或者是减小沟道的长度。然而，增大薄膜晶体管中沟道的宽度会降低液晶显示装置的开口率；减小薄膜晶体管的沟道的长度会引起短沟道效应。综上所述，现有技术中薄膜晶体管的开态电流较小，从而导致薄膜晶体管的开关速度较慢。

发明内容

一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有较大的开态电流及较快的开关速度。

所述薄膜晶体管包括：

基板；

依次层叠设置在所述基板的表面上的第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层，所述蚀刻阻挡层上设有第一贯孔和第二贯孔；

源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置在所述第二半导体层上且分别对应所述第二半导体层的两端设置，所述源极和所述漏极分别通过所述第一贯孔和所述第二贯孔与所述第一半导体层相连；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层层叠设置在所述源极和所述漏极上；及

栅极，所述栅极层叠设置在所述栅极绝缘层上。

其中，所述薄膜晶体管还包括第一导电部，所述第一导电部用于连接所述源极与所述第一半导体层以及连接所述源极与所述第二半导体层，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内，以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。

其中，所述薄膜晶体管还包括第二导电部，所述第二导电部用于连接所述漏极与所述第一半导体层以及连接所述漏极与所述第二半导体层，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。

其中，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述第一贯孔与所述第一半导体层之间。

其中，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述第二贯孔与所述第一半导体层之间。

本发明还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法制备出的薄膜晶体管具有较大的开态电流及较快的开关速度。

所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上依次层叠设置第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层，在所述蚀刻阻挡层上形成第一贯孔和第二贯孔；