[发明专利]一种埋入式传感芯片系统封装结构

权利要求书

1.一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，所述结构包括：

传感芯片(1)、传感芯片结构部分(2)、第一芯片(3)、第二芯片(4)、第一焊盘(5)、第一介质(6)、第二介质(7)、第三介质(8)、第四介质(9)、导电线路(10)、填充导电材料的通孔(11)、凸块(12)、第二焊盘(13)；所述传感芯片(1)可以是指纹识别芯片或其他传感芯片，所述第一焊盘(5)位于传感芯片(1)、第一芯片(3)和第二芯片(4)的顶面，传感芯片结构部分(2)与第一焊盘(5)位于同一表面；第一介质(6)、第三介质(8)与第四介质(9)在垂直方向自上而下堆叠，第三介质(8)、第四介质(9)内部存在空腔，传感芯片(1)、第一芯片(3)和第二芯片(4)位于该空腔内，空腔内部填充有第二介质(7)；第二介质(7)包覆传感芯片(1)、第一芯片(3)与第二芯片(4)；第一介质(6)、第三介质(8)、第四介质(9)表面存在导电线路(10)；第二介质(7)、第三介质(8)、第四介质(9)内部存在填充导电材料的通孔(11)；第三介质(8)背面存在第二焊盘(13)；第一焊盘(5)、导电线路(10)、填充导电材料的通孔(11)与第三焊盘(13)相互连接形成导电结构。

2.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，所述填充导电材料的通孔(11)的内壁上有金属层。

3.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，所述第一介质(6)、第二介质(7)、第三介质(8)、第四介质(9)是环氧树脂塑封材料或者聚酰亚胺聚合物介质材料。

4.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，传感芯片结构部分(2)裸露或者覆盖有介质材料。

5.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，所述导电线路(10)是铝、铜、金、钛、镍金属中的一种或几种组成。

6.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，导电线路(10)可以嵌入到第一介质(6)内部或者位于第一介质(6)表面。

7.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，凸块(12)是铝、铜、金、钛、镍金属中的一种或几种，高度3～10um。

8.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，所述第一芯片(3)或者第二芯片(4)是专用集成电路芯片、闪存芯片、无源器件或其它类型的芯片。

9.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于，第二焊盘(13)是铝、铜、金、钛、镍金属中的一种或几种组成。

10.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片系统封装结构，其特征在于第二焊盘(13)裸露、钝化处理或存在锡球。