[发明专利]一种扇出PoP封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种扇出PoP封装结构，其特征在于，所述结构是由下封装体(50)和上封装体组成；所述下封装体(50)包括了第一金属凸点结构(2)、第一IC芯片(3)、键合焊盘(4)、第一塑封料(6)、再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、介电材料层(9)、第二金属层(10)和第一焊球(11)；所述第一IC芯片(3)带有键合焊盘(4)，第一金属凸点结构(2)上有第二金属层(10)，第一塑封料(6)包围了第一IC芯片(3)和第一金属凸点结构(2)，第一IC芯片(3)的和第一金属凸点结构(2)的同一个方向的表面裸露；第一IC芯片(3)的键合焊盘(4)与再布线金属走线层(7)连接，再布线金属走线层(7)上制作有第一金属层(8)，第一金属层(8)上植有第一焊球(11)，在第一IC芯片(3)、第一金属凸点结构(2)和第一塑封料(6)的同一方向的表面涂覆有介电材料层(9)，介电材料层(9)包围再布线金属走线层(7)；

所述上封装体为第一上封装体(60)，其是由第二基板(12)、第一粘片胶(13)、第二IC芯片(14)、第一金属导线(15)、第二塑封料(16)和第二焊球(17)组成，所述第二基板(12)通过第一粘片胶(13)与第二IC芯片(14)连接，第二基板(12)下部还植有第二焊球(17)，第一金属导线(15)连接了第二基板(12)和第二IC芯片(14)，第二塑封料(16)包围了第一粘片胶(13)、第二IC芯片(14)和第一金属导线(15)，第二焊球(17)与下封装体(50)的第二金属层(10)连接。

2.根据权利要求1所述的一种扇出PoP封装结构，其特征在于，所述上封装体为第二上封装体(70)，其是由第一上封装体(60)和导热结构层构成，第一上封装体(60)的第二基板(12)下部连接有导热结构层，导热结构层包括第一连接层(18)、金属结构层(19)和第二连接层(20)，三者依次连接，第二基板(12)下部与第一连接层(18)连接，第二连接层(20)与下封装体(50)的第一IC芯片(3)连接，第一上封装体(60)的第二焊球(17)与下封装体(50)的第二金属层(10)连接。

3.根据权利要求1所述的一种扇出PoP封装结构，其特征在于，所述上封装体为第三上封装体(80)，其是由第二粘片胶(21)、第三IC芯片(22)、第二金属导线(23)和第三塑封料(24)构成，所述第三IC芯片(22)通过第二粘片胶(21)与下封装体(50)的第一IC芯片(3)连接，第二金属导线(23)连接第三IC芯片(22)和下封装体(50)的第二金属层(10)，第三塑封料(24)包围了第二金属层(10)、第二粘片胶(21)、第三IC芯片(22)和第二金属导线(23)。

4.根据权利要求1所述一种扇出PoP封装结构，其特征在于，第一金属凸点结构(2)和再布线金属走线层(7)是铜、铜合金、铁、铁合金、镍、镍合金、钨金属材料其中的一种组成。

5.根据权利要求1所述一种扇出PoP封装结构，其特征在于，介电材料层(9)是热固性塑封材料、塞孔树脂、油墨和阻焊绿油绝缘材料中的一种。

6.根据权利要求1所述一种扇出PoP封装结构，其特征在于，第一IC芯片(3)、第一金属凸点结构(2)和第一塑封料(6)裸露的表面在同一平面上。