[发明专利]正偏压温度不稳定性的恢复装置和恢复方法有效
| 申请号： | 201410841394.3 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105790741B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏压 温度 不稳定性 恢复 装置 方法 | ||
1.一种正偏压温度不稳定性的恢复装置，其特征在于，所述恢复装置包括目标NMOS管和恢复单元，其中，
所述恢复单元在所述目标NMOS管处于工作状态时闲置，并且在所述目标NMOS管处于闲置状态时为所述目标NMOS管的源极和漏极加正向偏压，
其中，所述恢复单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一反相器以及第二反相器，其中，
所述第一PMOS管的栅极连接输入信号、源极连接第一供应电压、漏极连接所述第一反相器的输入端；
所述第二PMOS管的栅极连接所述输入信号、源极连接第二供应电压、漏极连接所述第二反相器的输入端；
所述目标NMOS管的栅极连接所述输入信号、漏极连接所述第一反相器的输出端、源极连接所述第二反相器的输出端。
2.如权利要求1所述的恢复装置，其特征在于，所述恢复单元在所述目标NMOS管处于闲置状态时被自动触发。
3.如权利要求1所述的恢复装置，其特征在于，所述恢复单元还包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接在所述第一反相器和所述目标NMOS管的漏极之间，所述第二电阻连接在所述第二反相器和所述目标NMOS管的源极之间。
4.如权利要求3所述的恢复装置，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻阻值相等。
5.如权利要求3所述的恢复装置，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻均为可变电阻，且阻值范围为1E3～1E8欧姆。
6.如权利要求1所述的恢复装置，其特征在于，所述第一供应电压和所述第二供应电压相等。
7.如权利要求1所述的恢复装置，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管为集成电路输入输出接口区的晶体管。
8.如权利要求1所述的恢复装置，其特征在于，所述目标NMOS管为集成电路内核区的晶体管。
9.一种正偏压温度不稳定性的恢复方法，其特征在于，所述恢复方法包括：
采用恢复单元在目标NMOS管处于闲置状态时为所述目标NMOS管的源极和漏极加正向偏压，
其中，所述恢复单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一反相器以及第二反相器，其中，
所述第一PMOS管的栅极连接输入信号、源极连接第一供应电压、漏极连接所述第一反相器的输入端；
所述第二PMOS管的栅极连接所述输入信号、源极连接第二供应电压、漏极连接所述第二反相器的输入端；
所述目标NMOS管的栅极连接所述输入信号、漏极连接所述第一反相器的输出端、源极连接所述第二反相器的输出端。
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