[发明专利]一种全氟烷烃中杂质的催化转化方法有效
| 申请号: | 201410840771.1 | 申请日: | 2014-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN104529691A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 黄华璠;徐海云;孟祥军;李翔宇;丁成;王新喜;胡帅 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
| 主分类号: | C07C17/395 | 分类号: | C07C17/395;C07C19/08;C07C23/06;B01J27/128;B01J27/125 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址: | 056027*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 烷烃 杂质 催化 转化 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种全氟烷烃中杂质的催化转化方法,具体地说,涉及一种全氟烷烃中含氢碳氟化合物和/或烯类碳氟化合物杂质的催化转化方法,属于精细化工领域。
背景技术
全氟烷烃是指分子中的氢原子全部被氟原子取代的烃类化合物,包括四氟化碳、六氟乙烷、八氟丙烷和八氟环丁烷等。全氟烷烃具有很好化学稳定性。
近年来,高纯全氟烷烃被应用于半导体制造和电子工业,作为电子器件的清洗剂和刻蚀剂。随着半导体器件尺寸越来越小,刻蚀精度要求越来越严格,对全氟烷烃的纯度要求也越来越高。
在全氟烷烃的制备中,往往涉及氟化或高温反应,因此产物粗品全氟烷烃中杂质种类较多,主要有含氢碳氟化合物、含氯碳氟化合物及烯类碳氟化合物等。在半导体制造中,这些杂质的存在,会在刻蚀形成电路图案的过程中,产生较宽的线,造成集成电路的缺陷;此外,在半导体制造设备腔室的清洗中,也应降低残余杂质,以提供高性能的设备。因此,需采用有效的纯化方法,除去全氟烷烃中的杂质。
现有的全氟烷烃纯化方法,常分为三类:
第一类是精馏的方法。精馏的方法为最常用的纯化全氟烷烃的方法。但由于全氟烷烃化合物中杂质种类较多,往往存在沸点和全氟烷烃接近的杂质,当杂质沸点和全氟烷烃的沸点差别小于15℃时,难以用精馏的方法纯化;并且,一些碳氟化合物能和全氟烷烃形成共沸化合物,也无法用精馏的方法进行纯化。近年来,发展了萃取精馏和共沸精馏的方法,但是这些方法设备成本高,工艺复杂。
第二类是吸附的方法。吸附的方法通过采用吸附剂,除去全氟烷烃中的杂质;常用的吸附剂包括分子筛、活性炭等。但有些杂质的分子尺寸和全氟烷烃十分接近,用所述吸附方法难以除去。现有的吸附剂吸附全氟烷烃中含氯碳氟化合物杂质效果较好,而含氢碳氟化合物和烯类碳氟化合物杂质很难除去。
第三类是催化转化法。催化转化法是将沸点与全氟烷烃沸点接近的杂质,通过催化剂分解或转化成沸点和全氟烷烃沸点差别较大的杂质。现有技术中,利用催化转化法除去烯类碳氟化合物的研究较多,但除去含氢碳氟化合物的方法很少,在中国专利申请CN1089252中,将全氟化碳在Ca2+或Ba2+离子和醇化物离子以及仲胺存在下,与强碱水溶液进行反应,除去氟化氢,及含氢和/或含碳碳双键的碳氟杂质;但这种方法工艺较复杂,而且后续过程中需要除去水。
发明内容
针对现有技术中催化转化法存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种全氟烷烃中杂质的催化转化方法,所述方法通过将粗品全氟烷烃和催化剂接触,其中催化剂为AlF3和金属高价氟化物的混合物,将含氢碳氟化合物和/或烯类碳氟化合物杂质转化成其它化合物,通过这一方法将沸点与全氟烷烃沸点接近的杂质,转化成沸点和全氟烷烃沸点差别较大的杂质,以利于后续精馏提纯处理。
为实现本发明的目的,提供以下技术方案。
一种全氟烷烃中杂质的催化转化方法,所述方法步骤如下:
将粗品全氟烷烃和催化剂接触反应进行催化转化处理,收集处理后的气体。
其中,所述全氟烷烃为六氟乙烷、八氟丙烷或八氟环丁烷;粗品全氟烷烃为纯度>98%,而<99.99%的全氟烷烃;粗品全氟烷烃中含氢碳氟化合物和/或烯类碳氟化合物杂质的含量≤2%;所述含氢碳氟化合物杂质为二氟甲烷、三氟甲烷、四氟乙烷、五氟乙烷、六氟丙烷或七氟丙烷中的一种以上;烯类碳氟化合物杂质为四氟乙烯和/或六氟丙烯。
催化剂为AlF3和金属高价氟化物的混合物,以催化剂的总体质量为100%计,其中AlF3的质量百分数为2%~50%,优选为2%~20%;余量为金属高价氟化物;金属高价氟化物为CoF3、MnF3、AgF2或KCoF4中一种以上。
催化剂可以是粒状、粉末状等形状;优选为粒状;优选粒径为0.5mm~5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国船舶重工集团公司第七一八研究所,未经中国船舶重工集团公司第七一八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410840771.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





