[发明专利]晶圆级封装的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造方法，尤其涉及一种晶圆级封装的制造方法。

背景技术

随着芯片功能越来越多，对于封装的要求也越来越高，倒装、叠层已经成为趋势。在倒装、叠层的同时，还要求封装厚度尽量薄，这样就一定程度上要求芯片封装时尽量薄，从而造成加工过程的风险。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明提供一种晶圆级封装的制造方法，在第一芯片上形成第一光刻胶，在所述第一光刻胶上形成多个第一开口部，露出所述第一芯片的功能面；在从所述多个第一开口部露出的功能面上形成凸点下金属层，然后去除所述第一光刻胶；将所述第二芯片的功能凸点与所述凸点下金属层连接；在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在所述第一芯片上形成连接层，所述连接层为层状结构；在所述连接层顶面植焊球，所述焊球的顶面高于所述第二芯片的顶面。

相比于现有技术，本发明的有益效果至少包括：将第一芯片和第二芯片面对面设置，再在第一芯片上形成连接层，由此组成的封装结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的连接层与第二芯片形成的高度差，就可以将封装结构倒装，而不破坏封装结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明晶圆级封装的制造方法的流程图；

图2-10为采用本发明晶圆级封装的制造方法的过程中的分步示意图；

图11为采用本发明晶圆级封装的制造方法制造的晶圆级封装结构的一种示意图；

图12为采用本发明晶圆级封装的制造方法制造的晶圆级封装结构的另一种示意图。

附图标记：

1-第一芯片；2-第二芯片；11-凸点下金属层；21-功能凸点；3-连接层；4-焊球；5-填充层；6-第一光刻胶；61-第一开口部；7-第二光刻胶；71-第二开口部。 

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实 施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本发明公开一种晶圆级封装的制造方法，包括步骤10，在第一芯片1上形成第一光刻胶6(如图2所示)，在所述第一光刻胶6上形成多个第一开口部61(参见图3)，露出所述第一芯片1的功能面；步骤20，在从所述多个第一开口部61露出的功能面上形成凸点下金属层11(如图4)，然后去除所述第一光刻胶6(参见图5)；步骤30，将所述第二芯片2的功能凸点21与所述凸点下金属层11连接(如图6所示)；步骤40，参见图7，在所述第一芯片1和所述第二芯片2之间形成填充层5；步骤50，在所述第一芯片1上形成连接层3，该连接层为层状结构(如图11和12所示，但是图中未示出层状结构)；步骤60，继续参见图11和12，在所述连接层3顶面植焊球4，焊球的顶面高于第二芯片的顶面。