[发明专利]控制闪存单元阈值电压的方法在审
| 申请号： | 201410838328.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104538361A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张怡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 闪存 单元 阈值 电压 方法 | ||
1.一种控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在硅片布置光刻胶，并去除硅片的包含闪存单元区域的器件区域上的光刻胶，而留下硅片的外围部分上的光刻胶；
第二步骤：针对与将要形成的闪存单元的浮栅相对应的特定硅片区域执行第一次单元注入；
第三步骤：对硅片执行处理以便在硅片上依次形成栅极氧化层、多晶硅层、氮化硅层以及掩模层；
第四步骤：针对闪存单元区域，完全刻蚀掉氮化硅层以及掩模层的厚度，并对多晶硅层进行部分刻蚀以去掉多晶硅层的部分厚度，而留下多晶硅层的部分厚度；
第五步骤：针对闪存单元区域执行第二次字线注入。
2.根据权利要求1所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，根据第四步骤中对多晶硅层进行部分蚀刻后留下的多晶硅层的部分厚度来设定第五步骤的第二次字线注入的注入条件。
3.根据权利要求2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，通过反馈机制，根据第四步骤中对多晶硅层进行部分蚀刻后留下的多晶硅层的部分厚度，设定第五步骤的第二次字线注入的注入条件。
4.根据权利要求1或2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，所述闪存单元是NOR型闪存单元。
5.根据权利要求1或2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，注入条件包括注入能量。
6.根据权利要求1或2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，注入时间。
7.根据权利要求1或2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，注入元素。
8.根据权利要求1或2所述的控制闪存单元阈值电压的方法，其特征在于，所述方法用于制造NOR型闪存单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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