[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其 制造方法和电子装置。

背景技术

在半导体技术领域中，肖特基二极管(SchottkyDiode)因具有 低功耗、大电流、超高速等优点而得到了广泛的应用。

现有的一种肖特基二极管的剖视图如图1所示，包括半导体衬底 100、位于半导体衬底100内的深N阱101、位于深N阱101内的浅 沟槽隔离(STI)102、位于深N阱101内且位于浅沟槽隔离102一 侧的N型阴极区103、位于N型阴极区103内的N型接触区104， 还包括位于深N阱101上方且与深N阱形成金属接触的阳极105以 及与位于N型接触区104上方且与N型接触区104相接触的阴极引 出区106。其中，阳极105与阴极引出区106位于浅沟槽隔离102的 两侧，二者的材料可以为金属硅化物(例如硅化钴、硅化镍)或其他 合适的材料；N型阴极区103可以为中压N阱(MVN)。

现有的上述肖特基二极管，由于采用阳极以金属接触的方式形成 二极管，因此往往导致崩溃电压不高(通常大致在15V左右)，要形 成单纯的结击穿(JunctionBreakdown)通常很困难。其中，图2示 出了现有的上述肖特基二极管的一种电场模拟图，由该图可知该肖特 基二极管的崩溃电压比较低。此外，图3示出了现有的上述肖特基二 极管的一种电压电流曲线，在该曲线中肖特基二极管的工作温度为 25℃。由图3可知，该肖特基二极管的崩溃电压此时为16V。

由此可见，现有的上述肖特基二极管存在着崩溃电压低的技术问 题。为解决这一技术问题，有必要提出一种新的半导体器件。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件及其制造方法 和电子装置，该半导体器件相对于现有的肖特基二极管具有较高的崩 溃电压。

本发明的一个实施例提供一种半导体器件，其包括半导体衬底以 及位于所述半导体衬底内的深N阱、位于所述深N阱内的浅沟槽隔 离、位于所述深N阱内且分别位于所述浅沟槽隔离的两侧的P型附 加区和N型阴极区，还包括位于所述深N阱的上方且位于所述浅沟 槽隔离的两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N 型阴极区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加 区相接触。

可选地，所述半导体器件还包括位于所述P型附加区内的P型接 触区，其中所述阳极通过所述P型接触区与所述P型附加区相接触。

可选地，所述半导体器件还包括位于所述N型阴极区内的N型 接触区，其中所述阴极引出区通过所述N型接触区与所述N型阴极 区相接触。

可选地，所述阳极的材料包括金属或金属硅化物。

可选地，所述P型附加区包括P型漂移区和中压P阱。

本发明的另一个实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方 法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，形成位于所述半导体衬底内的深N 阱以及位于所述深N阱内的浅沟槽隔离；

步骤S102：通过离子注入形成位于所述深N阱内且位于所述浅 沟槽隔离的一侧的P型附加区；

步骤S103：通过离子注入形成位于所述深N阱内且位于所述浅 沟槽隔离的与所述P型附加区相对的另一侧的N型阴极区；

步骤S104：形成位于所述深N阱上方且位于所述浅沟槽隔离的 两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N型阴极 区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加区相接 触。

可选地，在所述步骤S103与所述步骤S104之间还包括步骤 S1034：

形成位于所述P型附加区内的P型接触区，其中所述阳极通过所 述P型接触区与所述P型附加区相接触；

和/或，形成位于所述N型阴极区内的N型接触区，其中所述阴 极引出区通过所述N型接触区与所述N型阴极区相接触。

可选地，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在形成P型漂移区的离子注入工艺中对拟形成P型 附加区的区域进行第一次离子注入；

步骤S1022：在形成中压P阱的离子注入工艺中对拟形成P型附 加区的区域进行第二次离子注入，其中经过所述第一次离子注入与所 述第二次离子注入形成P型附加区。