[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：

于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有 遂穿氧化层和多个沟槽；

于所述多个沟槽的侧壁和底部制备U形浮栅，所述U型浮栅的表面与所述 多个沟槽的表面位于同一平面；

对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，以使所述浅沟槽隔离的表面位于所述U型浮 栅的上表面和下表面之间；

于所述U型浮栅暴露出的表面以及所述浅沟槽隔离的表面上制备氧化硅阻 挡层；

于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅。

2.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于衬底 中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层 和多个沟槽，具体包括：

于衬底之上依次生长遂穿氧化层和氮化硅层，所述遂穿氧化层和所述氮化 硅层形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，于所述衬底中制备多个浅沟槽，所述氮化硅层形 成氮化硅结构；

于所述多个浅沟槽内形成浅沟槽隔离以隔离出有源区，对所述浅沟槽隔离 进行化学机械抛光处理，以使所述浅沟槽隔离的表面与所述氮化硅结构的上表 面位于同一平面；

剥离所述氮化硅结构，以形成多个沟槽。

3.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于所述 多个沟槽的侧壁和底部制备U形浮栅，具体包括：

于所述多个沟槽的侧壁和底部以及所述浅沟槽隔离的表面上沉淀多晶硅结 构；

对所述浅沟槽隔离表面上的多晶硅结构进行去除，以于所述多个沟槽的侧 壁和底部制备U型浮栅，所述U型浮栅的表面与所述多个沟槽的表面位于同一 平面。

4.根据权利要求3所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述于 所述多个沟槽的侧壁和底部以及所述浅沟槽隔离的表面上沉淀多晶硅结构通过 低压化学气象沉淀工艺进行沉淀。

5.根据权利要求3所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述对 所述浅沟槽隔离表面上的多晶硅结构进行去除通过化学机械抛光工艺进行去 除。

6.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述对 所述浅沟槽隔离进行刻蚀采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

7.根据权利要求1-6任一所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于， 所述U型浮栅的厚度取值范围为200～500埃。

8.根据权利要求1-6任一所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于， 所述浅沟槽隔离的表面位于所述U型浮栅的上表面和下表面之间，进一步的， 所述浅沟槽隔离的表面与所述U型浮栅的上表面之间的高度取值范围为100～ 600埃。

9.一种通过权利要求1-8任一所述方法制作的闪存存储单元，其特征在于， 包括：

衬底，所述衬底的上部形成有多个浅沟槽；

遂穿氧化层，生长于所述衬底之上；

U形浮栅，形成于所述遂穿氧化层之上；

浅沟槽隔离，形成于所述多个浅沟槽内和所述U型浮栅的侧壁上；

氧化硅阻挡层，形成于所述U型浮栅的侧壁和表面以及所述浅沟槽隔离的 表面上；

控制栅，形成于所述氧化硅阻挡层之上。