[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：

于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次生长有遂穿氧化层和氮化硅结构；

对所述氮化硅结构进行减宽处理，以形成减宽后的氮化硅结构和减宽区域；

于所述减宽区域内制备第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构为上窄下宽的多晶硅结构；

对所述浅沟槽隔离进行填充并进行化学机械抛光处理，以使所述浅沟槽隔离的表面与所述减宽后的氮化硅结构的上表面位于同一平面；

剥离所述减宽后的氮化硅结构，以形成沟槽；

于所述沟槽内生长第二多晶硅结构，所述第二多晶硅结构与所述第一多晶硅结构形成正梯形浮栅；

对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，以使所述浅沟槽隔离的表面位于所述正梯形浮栅的上表面和下表面之间；

于所述浅沟槽隔离的表面和所述正梯形浮栅的侧壁及表面上制备氧化硅阻挡层；

于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅。

2.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次生长有遂穿氧化层和氮化硅结构，具体包括：

于衬底之上依次生长遂穿氧化层和氮化硅层，所述遂穿氧化层和所述氮化硅层形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，于所述衬底中制备多个浅沟槽，所述氮化硅层形成氮化硅结构；

于所述多个浅沟槽内形成浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述浅沟槽隔离的表面与所述氮化硅结构的上表面位于同一平面；

对所述浅沟槽隔离进行回刻蚀，以使所述浅沟槽隔离的表面与所述氮化硅结构的下表面位于同一平面。

3.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于所述减宽区域内制备第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构为上窄下宽的多晶硅结构，具体包括：

于所述减宽后的氮化硅结构的表面和侧壁以及所述浅沟槽隔离的表面沉淀第一多晶硅结构；

对所述第一多晶硅结构进行刻蚀，以于所述减宽区域内制备第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构为上窄下宽的多晶硅结构。

4.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于所述沟槽内生长第二多晶硅结构，所述第二多晶硅结构与所述第一多晶硅结构形成正梯形浮栅，具体包括：

于所述沟槽内以及所述浅沟槽隔离的表面上生长第二多晶硅结构；

对所述第二多晶硅结构进行刻蚀，以使所述第二多晶硅结构的表面与所述沟槽的表面位于同一平面，所述第二多晶硅结构与所述第一多晶硅结构形成正梯形浮栅。

5.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述减宽后的氮化硅结构通过磷酸溶液剥离。

6.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述对所述浅沟槽隔离进行刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻。

7.根据权利要求1-6任一所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述减宽区域的宽度取值范围为100～300埃。

8.根据权利要求2所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度取值范围为600～1000埃。

9.根据权利要求1-6任一所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述第一多晶硅结构的厚度取值范围为300～800埃。

10.一种通过权利要求1-9任一所述的方法制作的闪存存储单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的上部形成有多个浅沟槽；

遂穿氧化层，生长于所述衬底之上；

正梯形浮栅，形成于所述遂穿氧化层上；

浅沟槽隔离，形成于所述多个浅沟槽内和所述正梯形浮栅的侧壁上；

氧化硅阻挡层，形成于所述浅沟槽隔离的表面和所述正梯形浮栅的侧壁及表面上；

控制栅，形成于所述氧化硅阻挡层之上。