[发明专利]一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法在审
| 申请号： | 201410836566.8 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104485404A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇;于彤军;殷淑仪;张国义;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 紫外 led 及其 外延 生长 方法 | ||
1.一种高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，该发光二极管外延为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层、高温p型GaN层和p型InGaN接触层，其中，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层的周期数为10至20，随着超晶格周期数的增加，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层中势阱Inx1Ga1-x1N层的厚度阶梯式变大，势垒Aly1Ga1-y1N层厚度保持固定数值不变，InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层的周期数为5-10，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层和InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层中0.01≤x1≤x≤0.1，0.01≤y1≤y≤0.1；p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层和InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层中0.01≤x2≤x≤0.1；0.01≤y1≤y≤0.1。
2.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，势阱Inx1Ga1-x1N层的厚度为从1nm阶梯式变大到5.5nm，势垒Aly1Ga1-y1N层的厚度范围为2.5-3nm。
3.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，n型GaN层厚度范围为2-4微米，掺杂Si，掺杂浓度为1018-1019cm-3。
4.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层掺杂Si，掺杂浓度大于1019cm-3。
5.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层中InxGa1-xN量子阱层的厚度范围为2-3nm；AlyGa1-yNl垒层的厚度范围为10-20nm。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层厚度范围为20nm-40nm，掺杂Mg，掺杂浓度为1017-1018cm-3。
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