[发明专利]一种压控温度补偿晶体振荡器在审

专利信息
申请号: 201410834197.9 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN104467674A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 黄显核;刘东;付玮;焦俊杰 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 补偿 晶体振荡器
【权利要求书】:

1.一种压控温度补偿晶体振荡器,包括压控晶体振荡器、温度传感器、ARM控制单元,其特征在于,所述的晶体振荡器中只有一个负载变容二极管;

首先获取二元函数fs=g(T,V);计算机控制温箱到不同的温度点T1,T2,T3,……,Tm,计算机通过ARM控制单元读取温度传感采集的温箱温度即压控晶体振荡器的环境温度T1,T2,T3,……,Tm,在每个温度点,计算机通过ARM控制单元输出依次输出压控电压V1,V2,V3,……,Vn到压控晶体振荡器的负载变容二极管上,通过频率计测得m组输出频率为f11,f12,f13,……,f1n;f21,f22,f23,……,f2n;f31,f32,f33,……,f3n;……;fm1,fm2,fm3,……,fmn;其中,第i个温度点,依次输出的压控电压V1,V2,V3,……,Vn得到的一组输出频率为fi1,fi2,fi3,……,fin,这样得到以下数组:

(T1,V1,f11),(T1,V2,f12),(T1,V3,f13),···,(T1,Vn,f1n)(T2,V1,f21),(T2,V2,f22),(T2,V3,f23),···,(T2,Vn,f2n)(T3,V1,f31),(T3,V2,f32),(T3,V3,f33),···,(T3,Vn,f3n)···(Tm,T1,fm1),(Tm,V2,fm2),(Tm,V3,fm3),L,(Tm,Vn,fmn)]]>

根据上述数组即得到的m组输出频率以及对应的环境温度T、压控电压V进行二元函数拟合,得到二元函数:

fs=g(T,V)

其中,fs为压控温度补偿晶体振荡器输出频率;

然后将二元函数导入ARM控制单元中;

最后,在使用时,ARM控制单元根据需要的输出频率fs以及压控晶体振荡器的环境温度T,通过二元函数fs=g(T,V),计算得到需要加载的压控电压V并加装压控晶体振荡器的负载变容二极管,即可得温度补偿后的压控输出频率。

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