[发明专利]无边框显示屏器件在审
申请号: | 201410830816.7 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104485349A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 张秀玉;张婷婷;党鹏乐;杨楠;张小宝 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边框 显示屏 器件 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,涉及一种显示装置,尤其是涉及一种无边框显示屏器件。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)为有源矩阵有机发光二极体面板,AMOLED显示面板具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。AMOLED的发光器件为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,以下简称:OLED),在AMOLED扫描电路(Driver IC)的驱动下,当有电流流过发光器件OLED时OLED发光。
然而,目前AMOLED上的扫描电路均设置在显示屏的正面并位于显示屏的正面的左右两侧,占据了空间,影响后期显示屏结构的大屏高清设计。由于扫描电路的阵列结构设计导致显示屏的屏体边框较宽,而客户端对手机等显示屏窄边框的要求越来越高。因此,急需提出一种无边框的显示屏结构,以迎合显示屏的发展趋势。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无边框显示屏器件,将扫描电路设置在显示屏的下方,实现显示屏的无边框。
为了实现上述目的,本发明提出了一种无边框显示屏器件,包括:
衬底;
第一金属层,所述第一金属层形成于所述衬底上;
绝缘层,所述绝缘层形成于所述衬底及第一金属层的表面;
开关结构,所述开关结构形成于所述绝缘层上;
第二金属层,所述第二金属层形成于所述开关结构上,所述开关结构和绝缘层中设有第一通孔,所述第一通孔中形成有通孔连线,所述通孔连线的两端分别与所述第一金属层和第二金属层相连。
进一步的,所述开关结构包括开关层和第一介质层,所述开关层形成于所述绝缘层上,所述第一介质层形成于所述绝缘层及开关层的表面。
进一步的,还包括:
隔离层,所述隔离层形成于所述第一介质层和第二金属层的表面;
第一金属连线和第二金属连线,所述第一金属连线和第二金属连线形成于所述隔离层上,并保持预定间距,所述隔离层和第一介质层中设有第二通孔和第三通孔,所述第一金属连线通过所述第二通孔与所述开关层一端的源极或漏极相连,所述第二金属连线通过所述第三通孔与所述开关层另一端的漏极或源极相连;
第二介质层,所述第二介质层形成于所述第一金属连线、第二金属连线和隔离层的表面;
OLED结构,所述OLED结构形成于所述第二介质层上,并与所述第二金属连线相连;
像素限定层,所述像素限定层形成于所述第二介质层的表面,并暴露出所述OLED结构。
进一步的,所述像素限定层的材质为聚酰亚胺。
进一步的,所述OLED结构包括阳极、发光层及阴极,所述阳极与所述第二金属连线相连,所述发光层形成于所述阳极上,所述阴极形成于所述发光层上。
进一步的,所述阳极材质为铝或铜;所述阴极材质为银。
进一步的,所述开关层为P-Si层。
进一步的,所述第一介质层为氧化硅或氮化硅;所述隔离层的材质为氧化硅;所述第二介质层的材质为氮化硅。
进一步的,所述绝缘层包括氧化硅层和氮化硅层,所述氧化硅层形成于所述氮化硅层的表面。
进一步的,所述第一金属层、通孔连线和第二金属层的材质均为铜或铝。
与现有技术相比,本发明的有益效果主要体现在:在衬底上形成第一金属层,接着形成绝缘层及开关结构,并在开关结构上形成第二金属层,采用通孔连线将所述第一金属和第二金属连接起来形成扫描电路,即形成的扫描电路位于衬底上并设置在显示屏的下部区域不会占用显示屏正面左右两边的边框,实现显示屏的无边框。
附图说明
图1为本发明无边框显示屏器件的剖面示意图;
图2为本发明无边框显示屏器件的俯视图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的无边框显示屏器件进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的