[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，具有：

-半导体层序列(2)，其具有用于产生电磁辐射的有源区(21)，

-电流扩展层(3)，其与半导体层序列(2)邻接，

-接触部(5)，其电接触电流扩展层(3)，

-自由区域(53)，所述自由区域(53)关于有源区(21)居中地设置，其中，

-接触部(5)覆盖电流扩展层(3)的面积的至少1％到最多8％之间，

-所述自由区域(53)没有接触部(5)，

-介电层(4)在自由区域(53)中穿过电流扩展层(3)并且直接与半导体层序列(2)邻接，

-所述介电层(4)构成为介电镜层，以及

-所述发光二极管芯片具有附加的特征i至ii中的一个，即

i.接触部(5)的导热性随着距半导体层序列(2)增加的距离而增加，或者

ii.接触部(5)具有锥形形状，其中接触部(5)的横截面积(D)随着距半导体层序列(2)增加的距离而增大。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中耦合输出区域(8)被粗化。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中接触部(5)均匀地分布在电流扩展层(3)的面上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中相邻的接触部(5)的距离小于30μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中接触部(5)由分离的接触点(51)构成。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中接触部(5)设置在规则的格栅(52)的节点上。

7.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中电流扩展层(3)具有在至少10nm到最大60nm的范围中的厚度(b)。

8.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中电流扩展层(3)包含氧化铟锌并且具有至少15nm的厚度(b)。

9.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中电流扩展层(3)包含氧化铟锡并且具有至少30nm的厚度(b)。

10.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中电流扩展层(3)包含氧化锌并且具有至少40nm的厚度(b)。

11.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中接触部(5)穿过介电层(4)。

12.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中所述介电层(4)也从侧面设置在所述半导体层序列(2)上用于所述发光二极管芯片的电绝缘。

13.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中所述介电层(4)实施为布拉格反射器。

14.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中接触部(5)与金属层(63)电连接，该金属层朝着支承体(6)的方向封闭介电层(4)。

15.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管芯片，其中介电层(4)在自由区域(53)中直接与半导体层序列(2)的p掺杂的半导体层(23)邻接。