[发明专利]微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件有效
| 申请号： | 201410828986.1 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104502878B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘晨;梁法国;吴爱华;孙静;孙晓颖;栾鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 gaas 衬底 参数 微带 trl 校准 | ||
1.一种基于微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件，其特征在于：包括GaAs衬底层(2)，所述GaAs衬底层(2)下表面连接有金属层(1)，其上表面设有直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)的图形结构，所述直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)的地压点(6)分别通过贯穿GaAs衬底层(2)的接地柱(7)与所述金属层(1)连接，所述GaAs衬底层(2)设有与接地柱(7)相适配的接地通孔；所述直通标准件Thru(3)和传输线标准件Line(5)的特征阻抗为50Ω，校准时的校准频率范围为2GHz～26.5GHz；所述GaAs衬底层与被测件的衬底层相同；探针压点附近的结构与被测件上相对应的结构相同；
其中，所述直通标准件Thru(3)的长度为196μm，校准时直通标准件Thru的长度值定义为0μm；所述反射标准件Reflect(4)采用开路实现，校准时延迟补偿定义值为0ps；
所述传输线标准件Line(5)有5条，分别为415μm、576μm、1173μm、3129μm和4596μm，校准时相对直通标准件Thru对各传输线标准件Line的长度进行定义，定义值分别为219μm、380μm、977μm、2933μm和4400μm；
所述直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)相对探针压点的位置设有二维压点对标线，所述二维压点对标线的对标线宽度为2μm。
2.根据权利要求1所述的微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件，其特征在于：所述GaAs衬底层(2)的相对介电常数为12.9，厚度为100μm，所述金属层(1)的厚度为15μm，其材质为金。
3.根据权利要求1所述的微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件，其特征在于：所述地压点(6)的大小为120μm×120μm，并设有45°倒角，所述接地柱(7)直径为40μm。
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