[发明专利]一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法

权利要求书

1.一种IGBT过压保护电路，包括IGBT和驱动电源，所述驱动电源与所述IGBT的门极相连，其特征在于，还包括集电极过压保护电路和驱动控制电路；所述集电极过压保护电路用于监测所述IGBT的集电极的电压，当所述IGBT的集电极的电压超过预定值时，所述集电极过压保护电路将过压信号传输给所述驱动控制电路，并传输电流使所述IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；所述驱动控制电路在接收到所述过压信号时中止所述IGBT的关断。

2.根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述集电极过压保护电路包括TVS管，所述TVS管的负极与所述IGBT的集电极相连，所述TVS管的正极与所述驱动控制电路相连，所述TVS管的正极还与所述IGBT的门极相连。

3.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述集电极过压保护电路还包括第一二极管，所述第一二极管的正极与所述IGBT的门极相连，所述第一二极管的负极与所述驱动电源相连。

4.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述集电极过压保护电路还包括第二电阻、第三电阻、第二二极管和第一电容，其中：所述第二电阻连接于所述TVS管的正极和所述驱动控制电路之间，所述第一电容与所述第三电阻并联连接于所述TVS管的正极和所述第二二极管的正极之间，所述第二二极管的负极与所述IGBT的门极相连。

5.根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述驱动控制电路包括缓冲器、或非门、第一MOS管和第二MOS管，其中所述缓冲器的输入端和所述或非门的第一输入端相连，所述或非门的第二输入端与所述集电极过压保护电路相连并接地；

所述第一MOS管的门极与所述缓冲器的输出端相连，所述第一MOS管的漏极与所述驱动电源相连，所述第一MOS管的源极与所述IGBT的门极相连；

所述第二MOS管的门极与所述或非门的输出端相连，所述第二MOS管的漏极与所述IGBT的门极相连，所述第二MOS管的源极接地。

6.根据权利要求5所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述或非门的第二输入端通过第一电阻再接地。

7.根据权利要求5所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述第一MOS管的源极通过第四电阻与所述IGBT的门极连接，所述第二MOS管的漏极通过第五电阻与所述IGBT的门极连接。

8.根据权利要求1至7任一项所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，还包括门极过压保护电路，所述门极过压保护电路包括双向TVS管和第六电阻，所述双向TVS管和所述第六电阻并联连接于所述IGBT的门极和发射极之间。

9.一种IGBT过压保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

集电极过压保护电路监测所述IGBT的集电极的电压；

当所述IGBT的集电极的电压超过预定值时，所述集电极过压保护电路将过压信号传输给所述驱动控制电路，并传输电流使所述IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；

所述驱动控制电路接收到所述过压信号时中止所述IGBT的关断。

10.根据权利要求9所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述集电极过压保护电路通过TVS管监测所述IGBT的集电极的电压；当所述IGBT的集电极的电压超过所述TVS管所设置的预定值时，所述TVS管导通，所述TVS管将过压信号传输给所述驱动控制电路，并传输电流使所述IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；所述驱动控制电路接收到所述过压信号时中止所述IGBT的关断。