[发明专利]一种等离子清洗设备

说明书

技术领域

本发明涉及LED生产制造技术领域，具体为一种等离子清洗设备。

背景技术

在现代LED生产制造过程中，电极制备需要在非常严格的工艺条件下才能保证其电极牢固性和外观品质，因此在每道曝光显影之后需要使用O₂ plasma对预沉积或蒸镀部分进行氧气清洗，去除表面残胶、颗粒、水汽等非制程附着物。

目前国内大部分LED生产厂商使用O₂ plasma设备主要有两种：一种是电极在侧面，采用横向射频，圆形tray盘装有旋转马达。此种plasma电浆在真空腔室浓度不均匀导致扫胶率较低且wafer内外圈去胶均匀性差，很难满足大规模生产。另一种是电极上下结构，采用垂直射频，平面型tray盘。此种plasma设备结构简单，去胶均匀性相对第一种要好因此被广泛使用。但第二种设备tray盘是平面型，目前国内所有厂商设计的tray盘都存在很大缺陷比如：1、tray盘没有取盘把手位，操作人员在取放盘时PVC手套极易污染wafer表面，造成返工或报废。2、tray盘上留有气流孔，这必然会影响气流在真空腔室内的稳定性，在射频时等离子体在气孔部位浓度大wafer中间浓度小，在等离子体辉光时导致wafer边缘去胶多而中间去胶少，总体去胶均匀性差。3、tray盘在放入上下电极是推拉式，因此tray盘与下电极导轨产生干摩擦，这既降低了tray盘的用寿命，也会带来金属屑造成腔室污染损坏真空泵。4、tray盘上吸笔取片槽是横向的，作业人员在取片时要将盘转180°，工作效率较低。5、tray盘材质是铝质，易被刻蚀。

发明内容

本发明所解决的技术问题在于提供一种等离子清洗设备，以解决上述背景技术中的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种等离子清洗设备，包括：机体、tray盘、反应腔体，所述机体两侧设有侧盖板，侧盖板上设有散热孔，机体下端设有下盖板，下盖板上侧设有反应腔体，反应腔体通过真空管连接有真空泵，反应腔体上侧设置有射频功率源，射频功率源连接有射频自动匹配器，射频自动匹配器上侧设有设备总控制器，设备总控制器上侧设有流量显示仪。

所述反应腔体内设有tray盘，tray盘两端通过深沟轴承放置在导轨上，tray盘下侧设有下电极，tray盘上侧设有上电极，上电极连接到上电极连接板上，下电极与上电极之间设有电极绝缘陶瓷，导轨安装在下电极上，反应腔体内部两侧设有下电极支撑架，下电极卡设在下电极支撑架上。

所述tray盘上设有承片槽，承片槽在tray盘上呈矩阵式分布，承片槽一侧设有吸笔取片槽，tray盘一侧设有取放片把手。

与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明去胶扫胶率达到且去胶均匀性为97％；将气流孔设计成平面，有效的提高了去胶外观品质，也降低了氧气使用量，产量提高15％，有效解决机台数量与大生产之间的瓶颈问题，使员工工作效率提高20％。且避免了报废片的产生。

附图说明

图1为本发明的主视图示意图。

图2为本发明的侧视图示意图。

图3为本发明的tray盘结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1、图2所示，一种等离子清洗设备，包括：机体1、tray盘4、反应腔体20，所述机体1两侧设有侧盖板15，侧盖板15上设有散热孔16，机体1下端设有下盖板2，下盖板2上侧设有反应腔体20，反应腔体20通过真空管17连接有真空泵18，反应腔体20上侧设置有射频功率源11，射频功率源11连接有射频自动匹配器12，射频自动匹配器12上侧设有设备总控制器13，设备总控制器13上侧设有流量显示仪14。

所述反应腔体20内设有tray盘4，tray盘4两端通过深沟轴承5放置在导轨6上，tray盘4下侧设有下电极3，tray盘4上侧设有上电极9，上电极9连接到上电极连接板10上，下电极3与上电极9之间设有电极绝缘陶瓷7，导轨6安装在电极绝缘陶瓷7上，反应腔体20内部两侧设有下电极支撑架8，下电极3卡设有在下电极支撑架8上。