[发明专利]深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法有效
| 申请号： | 201410827929.1 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104465338A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴宗杰;夏杰宇 | 申请（专利权）人： | 力特半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 多层 光刻 覆盖 结构 及其 方法 | ||
1.一种深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，包括：
一硅片，其上形成有深度大于90um的弧形沟槽；
一底层光刻胶层，覆盖在所述弧形沟槽上方，以及所述弧形沟槽两侧的硅片平面上方；
一上层光刻胶层，覆盖在所述底层光刻胶层上方；
其中，所述底层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度大于所述上层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度。
2.如权利要求1所述的深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，其中所述上层光刻胶层分为两层以上。
3.如权利要求1所述的深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，其中所述弧形沟槽的深度为90-110um，宽度为220um。
4.如权利要求1所述的深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，其中所述底层光刻胶层、上层光刻胶层采用负光刻胶。
5.如权利要求1所述的深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，其中所述底层光刻胶层以及每层上层光刻胶层的厚度为9-10um。
6.一种用于形成权利要求1至5中任意一项之深沟槽多次光刻覆盖方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一硅片，在所述硅片表面刻蚀形成一深度大于90um的弧形沟槽；
在所述弧形沟槽底部及其两侧的硅片平面上覆盖第一层光刻胶，并使用第一光刻版对第一层光刻胶进行显影；
在所述第一层光刻胶上依次覆盖第二层至第N层光刻胶，并分别在各次覆盖后使用第二光刻版对各层光刻胶进行显影；
其中，所述第一光刻版和第二光刻版的大小不同，从而使所述第二层至第N层光刻胶在显影后在硅片表面留下的光刻胶宽度相等，但小于所述第一层光刻胶在显影后在硅片表面留下的光刻胶宽度。
7.如权利要求6所述的深沟槽多次光刻覆盖方法，其特征在于，其中在硅片表面刻蚀形成的弧形沟槽的深度为90-110um，宽度为220um。
8.如权利要求6所述的深沟槽多次光刻覆盖方法，其特征在于，其中各次覆盖所用的光刻胶均为厚度为9-10um的负光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
