[发明专利]SPI闪速存储器的数据读写管理方法及数据读写管理装置在审

专利信息
申请号: 201410826825.9 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN104461401A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 龚成 申请(专利权)人: 珠海煌荣集成电路科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人: 林永协
地址: 519085 广东省珠海市唐家湾*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: spi 存储器 数据 读写 管理 方法 装置
【权利要求书】:

1.SPI闪速存储器的数据读写管理方法,所述SPI闪速存储器具有封装体,所述封装体内封装有控制器以及与所述控制器电连接的NAND Flash存储器,所述控制器的通信接口及电源接口与所述封装体的引脚连接;

其特征在于,该方法包括:

所述控制器将接收的所述SPI闪速存储器的逻辑地址转换成所述NAND Flash存储器的物理地址;

所述控制器将接收的数据写入到所述物理地址对应的存储区域或者从所述物理地址对应的存储区域读取数据。

2.根据权利要求1所述的SPI闪速存储器的数据读写管理方法,其特征在于:

所述控制器记录所述NAND Flash存储器每一存储区域的擦写次数,向所述物理地址对应的存储区域写入数据后,所述控制器更新该物理地址的存储区域的擦写次数;

向所述NAND Flash存储器写入数据时,所述控制器挑选擦写次数最少的存储区域写入数据。

3.根据权利要求2所述的SPI闪速存储器的数据读写管理方法,其特征在于:

所述控制器挑选擦写次数最少的存储区域的步骤包括:向所述物理地址对应的存储区域写入数据前,所述控制器判断该存储区域的擦写次数是否高于阈值,如是,查找擦写次数最少的存储区域的新的物理地址;

向新的物理地址写入数据后,更新所述物理地址与所述逻辑地址的映射关系。

4.根据权利要求2或3所述的SPI闪速存储器的数据读写管理方法,其特征在于:

所述NAND Flash存储器具有映射表存储区域,所述控制器向所述映射表存储区域写入数据前,判断所述映射表存储区域的某一存储区域的擦写次数高于阈值时,查找擦写次数最少的所述映射表存储区域内新的物理地址并向新的物理地址对应的存储区域写入数据。

5.根据权利要求1至3任一项所述的SPI闪速存储器的数据读写管理方法,其特征在于:

所述SPI闪速存储器首次上电后,所述控制器对所述NAND Flash存储器的所有存储区域进行扫描,屏蔽已损坏的存储区域,建立可用存储区域的物理地址与SPI闪速存储器的逻辑地址的映射关系。

6.根据权利要求1至3任一项所所述的SPI闪速存储器的数据读写管理方法,其特征在于:

所述控制器向所述NAND Flash存储器写入数据前,对待写入的数据进行编码;

所述控制器读取所述NAND Flash存储器的数据后,对所读取的数据进行解码。

7.SPI闪速存储器的数据读写管理装置,所述SPI闪速存储器具有封装体,所述封装体内封装有控制器以及与所述控制器电连接的NAND Flash存储器,所述控制器的通信接口及电源接口与所述封装体的引脚连接;

其特征在于,该装置包括:

地址映射模块,将所述控制器接收的所述SPI闪速存储器的逻辑地址转换成所述NAND Flash存储器的物理地址;

数据读写模块,将所述控制器接收的数据写入到所述物理地址对应的存储区域或者从所述物理地址对应的存储区域读取数据。

8.根据权利要求7所述的SPI闪速存储器的数据读写管理装置,其特征在于: 

还包括损耗均衡模块,记录所述NAND Flash存储器每一存储区域的擦写次数,向所述物理地址对应的存储区域写入数据后,更新该物理地址的存储区域的擦写次数,并在所述NAND Flash存储器写入数据时,挑选擦写次数最少的存储区域写入数据。

9.根据权利要求8所述的SPI闪速存储器的数据读写管理装置,其特征在于:

所述损耗均衡模块还用于判断所述NAND Flash存储器的映射表存储区域的某一存储区域的擦写次数高于阈值时,查找擦写次数最少的所述映射表存储区域内新的物理地址并向新的物理地址对应的存储区域写入数据。

10.根据权利要求7至9任一项所述的SPI闪速存储器的数据读写管理装置,其特征在于: 

还包括屏蔽模块,在所述SPI闪速存储器首次上电后,对所述NAND Flash存储器的所有存储区域进行扫描,屏蔽已损坏的存储区域,建立可用存储区域的物理地址与SPI闪速存储器的逻辑地址的映射关系。

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