[发明专利]读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器

说明书

本发明公开了一种用以读取一闪存中所储存的数据的存储器控制器和读取一闪存中所储存的数据的方法。所述方法包括：从多个默认栅极电压组合选项中选择出一初始栅极电压组合；依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元，并读出多个位序列；通过对所述多个位序列进行一字码错误更正操作来判断出对应所述初始栅极电压组合的一电荷散布参数；依据一对照表来决定出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合；以及依据所述目标栅极电压组合来控制所述多个存储器单元以读出多个更新位序列。通过本发明，可快速找出一正确的栅极电压组合来控制所述闪存，而不需要逐一测试每一个默认的栅极电压组合选项。

技术领域

本发明涉及读取闪存(flash memory)中所储存的数据，尤指一种判断出闪存的记忆单元(memory cell)的一电荷散布参数来读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器。

背景技术

闪存可通过电子式的抹除(erase)与写入/程序化(program)以进行数据储存，并且广泛地应用于记忆卡(memory card)、固态硬盘(solid-state drive)与可携式多媒体播放器等等。由于闪存是非挥发性(non-volatile)存储器，因此，不需要额外电力来维持闪存所储存的信息，此外，闪存可提供快速的数据读取与较佳的抗震能力，而这些特性也说明了闪存为何会如此普及的原因。

闪存可区分为NOR型闪存与NAND型闪存。对于NAND型闪存来说，其具有较短的抹除及写入时间且每一存储器单元需要较少的芯片面积，因而相较于NOR型闪存，NAND型闪存会允许较高的储存密度以及较低的每一储存位的成本。一般来说，闪存是以存储器单元数组的方式来储存数据，而存储器单元是由一浮动栅极晶体管(floating-gate transistor)来加以实作，且每一存储器单元可通过适当地控制浮动栅极晶体管的浮动栅极上的电荷个数来设定导通所述浮动栅极晶体管所实作的所述存储器单元的所需临界电压，进而储存单一个位的信息或者一个位以上的信息，如此一来，当一或多个预定控制栅极电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极之上，则浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所储存的一或多个二进制数(binary digit)。

然而，由于某些因素，闪存单元中原本储存的电荷的个数可能会受到影响/扰乱，举例来说，闪存中所存在的干扰可能来自于写入干扰(write/program disturbance)、读取干扰(read disturbance)及/或保持干扰(retention disturbance)。以具有各自储存一个位以上的信息的存储器单元的NAND型闪存为例，一个实体存储器分页(physical page)会对应多个逻辑存储器分页(logical page)，且对其采用一或多个控制栅极电压来进行读取。举例来说，对于一个用以储存3个位的信息的闪存单元来说，所述闪存单元会具有分别对应不同电荷个数(或称不同临界电压)的8种状态(亦即电荷位准)的其中之一，然而，由于写入/抹除次数(program/erase count,P/E count)及/或数据保留时间(retention time)改变的缘故，闪存单元中的存储器单元的临界电压分布(threshold voltagedistribution)便会有所改变，因此，使用原本的控制栅极电压设定(或称临界电压设定)来读取存储器单元中所储存的信息可能会因为改变后的临界变压分布而无法正确地获得所储存的信息。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于公开一种判断出闪存的记忆单元的一电荷散布参数来读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器，以解决上述问题。