[发明专利]非接触接收器、谐振电路以及可变电容元件有效
申请号: | 201410823441.1 | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN104485758B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 管野正喜;羽生和隆;渡边诚;横田敏昭 | 申请(专利权)人: | 迪睿合电子材料有限公司 |
主分类号: | H02J50/12 | 分类号: | H02J50/12;H04B5/00;H02J5/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李浩;姜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 接收器 谐振 电路 以及 可变电容 元件 | ||
本发明提供了一种设有接收部和整流部的非接触接收器以及用于所述非接触接收器的谐振电路以及可变电容元件。接收部具有谐振电路,谐振电路包括具有由铁电材料形成的可变电容元件的谐振电容器和连接于谐振电容器的谐振线圈,可变电容元件的电容随着预定频率的接收电压而变化。整流部将从接收部输出的交流电压转换成直流电压。本发明提供了更简单的结构和对接收电压更高的耐压性。
本申请是母案为如下申请的分案申请:
申请号:200910168122.0
申请日:2009年8月28日
发明名称:非接触接收器、谐振电路以及可变电容元件。
相关申请的交叉引用
本申请包含与2008年8月29日向日本专利局提交的日本专利申请JP2008-222812相关的主题并要求该专利申请的优先权,将其全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及非接触接收器、谐振电路以及可变电容元件,更具体地涉及适用于如非接触IC卡等从读/写器接收电波的器件的非接触接收器、谐振电路以及可变电容元件。
背景技术
从外部接收偏置信号以改变其电容,从而控制频率、时间等的可变电容元件已得到应用。市场已出售的所述可变电容元件例如包括可变电容二极管(变容二极管)和MEMS(微机电系统)。
图11A和11B表示可变电容元件的电路配置和特性示例。图11A表示围绕可变电容元件160的电路配置,且图11B表示可变电容元件160的电容Cv对控制电压的依存关系。可变电容元件160通常具有两个端子,且没有用于接收偏置信号以控制电容的专用端子。因此,在如图11A所示的实际电路上,可变电容元件160配置为具有四个端子。更具体地,可变电容元件160(可变电容器)的一个端子经由偏置消除电容器161连接于用于交流信号的一个输入输出端子,并还经由限流电阻器162连接于用于控制电压信号的输入端子。此外,可变电容元件160的另一端子连接于用于交流信号的另一输入输出端子,并还连接于用于控制电压信号的输出端子。
在如上所述的可变电容元件160的电路配置中,信号电流(交流信号)流经偏置消除电容器161和可变电容器160,且控制电流(DC偏置电流)经由限流电阻器162仅流经可变电容器160。如图11B所示,在该过程中,通过改变控制电压改变了可变电容器160的电容Cv,从而导致信号电流的变化。
使用如上所述的可变电容元件作为非接触IC卡中的保护电路的技术已经提出(例如,参照2008-7059号日本未审查专利申请公报)。在2008-7059号日本未审查专利申请公报中,可变电容元件用作保护电路,以避免当非接触IC卡靠近读/写器(以下称为R/W)时,由过强的接收信号造成包括低耐压性半导体器件在内的控制电路的毁坏。
图12是2008-7059号日本未审查专利申请公报中提出的非接触IC卡的框图。在2008-7059号日本未审查专利申请公报中,以可变电容二极管103d作为可变电容元件。此外,包括偏置消除电容器103c和可变电容二极管103d的串联电路并联于包括线圈103a和电容器103b的谐振电路。
在2008-7059号日本未审查专利申请公报中,通过在检波电路113处检测接收信号所得到的直流电压Vout由电阻器114a和114b分压。分压后的直流电压(施加于电阻器114b的直流电压)经由用于消除其波动的线圈115施加于可变电容二极管103d,以便调节可变电容二极管103d的电容。即,分压后的直流电压用作可变电容二极管103d的控制电压。
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