[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201410822915.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789433A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制作方法 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器包括底电极、顶电极以及 位于底电极和顶电极之间的Al2O3-x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述Al2O3-x阻变存储 层的厚度为18nm-230nm。
3.根据权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极和顶 电极的厚度为25nm-350nm。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极为单质金 属、合金、或导电的氧化物或氮化物。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极为单质金 属、合金、或导电的氧化物或氮化物。
6.根据权利要求4或5所述的阻变存储器，其特征在于：所述单质金属为 Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；所述合金金属为Au-Ni、Al-Ni、Au-Ti；所述 导电的氧化物为ITO或IZGO；所述导电的氮化物为AlN或TiN。
7.一种权利要求1-6中任一项所述阻变存储器的制作方法，其特征在于， 包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极； (3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al2O3-x阻变存储层；(4)采用磁控溅射 法在Al2O3-x阻变存储层上形成顶电极。
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