[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

激活状态检测器，其适于：在激活状态检测模式中检测在正常激活命令或额外激活脉冲被激活时的时刻之后是否经过预定的时间，以及基于所述时刻之后经过了预定的时间的检测结果来产生额外预充电脉冲；

列控制器，其适于：在所述激活状态检测模式中，基于所述额外预充电脉冲、列地址和外部列命令来产生所述额外激活脉冲；以及

核心区，其适于：基于正常激活命令或者与所述额外激活脉冲相对应的额外激活命令而被激活，以及基于与所述额外预充电脉冲相对应的额外的预充电命令或者正常预充电命令而被预充电。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

第一激活控制器，其适于：基于外部激活命令和行地址来产生所述正常激活命令，以及基于外部预充电命令和所述行地址来产生所述正常预充电命令；以及

第二激活控制器，其适于：基于所述额外激活脉冲和所述行地址来产生所述额外激活命令，以及基于所述额外预充电脉冲和所述行地址来产生所述额外预充电命令。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述激活状态检测器包括：

振荡单元，其用于在所述激活状态检测模式中产生以预定的频率触发的振荡信号；

激活测量单元，其用于：在所述激活状态检测模式中，对所述振荡信号在所述正常激活命令或所述额外激活脉冲被激活时的时刻之后触发的次数计数，以及将计数的数目作为测量信号输出；以及

脉冲发生单元，其用于当所述测量信号的值比预定值大时选择性地将所述额外预充电脉冲激活。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，在所述激活状态检测模式中，所述激活测量单元当所述正常激活命令被激活或者所述外部列命令被施加时将所述测量信号的值初始化。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，在激活状态检测模式中，所述脉冲发生单元当所述测量信号的值比所述预定值大时将所述额外预充电脉冲激活，以及

在所述激活状态检测模式中，所述脉冲发生单元当所述测量信号的值等于或小于所述预定值时不将所述额外预充电脉冲激活。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，当所述额外预充电脉冲被激活时，所述列控制器在所述外部列命令和所述列地址被施加时将所述额外激活脉冲激活，以及

当所述额外预充电脉冲未被激活时，所述列控制器不管所述外部列命令和所述列地址是否被施加而不将所述额外激活脉冲激活。

7.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，当所述外部列命令和所述列地址被施加时，所述列控制器将正常列命令激活，而与所述激活状态检测模式无关。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，当所述外部列命令和所述列地址被施加、并且所述额外预充电脉冲被激活时，所述列控制器在所述额外激活脉冲被激活时的时刻之后经过预定的时间时将所述正常列命令激活。

9.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述核心区基于所述正常列命令来执行用于输入/输出数据的列操作。

10.一种用于操作半导体存储器件的方法，包括：

在激活状态检测模式中，检测在正常激活命令被激活时的时刻之后是否经过预定的时间，以产生第一检测结果；以及

基于所述时刻之后经过了预定的时间的所述第一检测结果而内部产生额外预充电脉冲。