[发明专利]防止OLED材料裂解的坩埚

说明书

技术领域

本发明涉及OLED显示器件的制程领域，尤其涉及一种防止OLED材料裂解的坩埚。

背景技术

平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。其中，OLED显示器件相较于LCD，不仅具有十分优异的显示性能，还具有全固态、自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、室温工作、低功耗及易于实现柔性显示和3D显示等优点，被誉为“梦幻显示器”，一致被公认为是下一代显示的主流技术，得到了各大显示器厂家的青睐。

OLED显示器件通常由阳极、阴极、以及夹在阳极和阴极之间的有机电致发光材料层构成，有机电致发光材料层又包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层。OLED显示器件的发光机理是从阴、阳两级分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴经传输在发光层内复合，从而激发发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。

目前，制备OLED显示器件主流的主要方式是真空加热镀膜，即在真空腔体内使用坩埚加热OLED材料，使其在一定温度下升华或者熔融汽化成蒸汽，透过金属掩膜板上的开孔沉积在基板上。

使用点蒸发源进行OLED材料蒸镀的情况下，常常会因为点蒸发源各处的温差不均，导致坩埚内的OLED材料无法消耗完和材料易裂解等问题。

请参阅图1，现有的用于OLED材料蒸镀的坩埚包括坩埚本体100及盖设于坩埚本体100开口端的盖子200，其中坩埚本体100用于容纳OLED材料300，该坩埚本体100的底部与侧壁的壁厚基本均匀一致。图1所示为OLED材料充裕，液面高度较高的情况，设坩埚本体100底部的温度为t1、OLED材料液面的蒸发温度为t2、坩埚本体100顶部的温度为t3、OLED材料的裂解温度为T，由于坩埚本体100的上、下温度有差异，一般T>t3>t2>t1，经实验验证，如图2所示，在该现有的坩埚本体100内的OLED材料为65g，蒸镀速率稳定在时，OLED材料液面的蒸发温度t2稳定在375℃，坩埚本体100顶部的温度t3为403℃，小于裂解温度T405℃。如图3所示，随着蒸镀过程的进行，OLED材料不断消耗，要保持一定的蒸镀速率，OLED材料液面的蒸发温度t2也需要越来越高。当OLED材料消耗至距离坩埚本体100底面的高度等于或小于h时，h为位于坩埚本体100顶部的OLED材料处于裂解的临界温度时，坩埚本体100内的OLED材料300正常蒸发允许的最低液面高度，会出现t3>T>t2>t1，经实验验证，当坩埚本体100内的OLED材料减少至40g或以下时，坩埚本体100顶部的温度t3为410℃，大于裂解温度T405℃，导致OLED材料在坩埚盖子200的出口处发生裂解，且剩余的OLED材料均不可用，从而破坏蒸镀过程的稳定性，造成OLED材料的浪费，影响OLED显示器件的品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防止OLED材料裂解的坩埚，能够解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题，使得蒸镀过程稳定运行，保证OLED显示器件的品质。

为实现上述目的，本发明提供的一种防止OLED材料裂解的坩埚，包括一用于容纳OLED材料的坩埚本体、及盖设于所述坩埚本体开口端的盖子；

所述坩埚本体底部具有一抬升结构，通过所述抬升结构抬升坩埚内OLED材料最低液面的高度。

所述抬升结构的顶面到坩埚本体底面的高度大于或等于坩埚内OLED材料正常蒸发允许的最低液面高度，使得OLED材料(3)在低于裂解温度的温度下全部蒸出。

所述抬升结构为自坩埚本体自身的底面向上延伸形成的凸起部，通过降低坩埚本体自身的挖掘深度来实现。

所述抬升结构为固设于坩埚本体底部的架空的金属板。

所述金属板通过焊接固设于坩埚本体底部。

所述抬升结构包括填充于坩埚本体底部的导热性好的填充材料及设于填充材料上的底板。

所述抬升结构包括设置于坩埚本体底部的导热性支架及设于支架上的底板。通过所述抬升结构能够使得坩埚内OLED材料在低于裂解温度8℃-15℃的温度下全部蒸出。

通过所述抬升结构能够使得坩埚内OLED材料在低于裂解温度10℃的温度下全部蒸出。