[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；

步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层(3)；

步骤3、在所述非晶硅层(3)上沉积氧化硅层，并通过黄光、蚀刻制程对氧化硅层进行图案化处理，得到位于显示区域的氧化硅层(4)；

步骤4、以所述氧化硅层(4)作为光罩，对非晶硅层(3)进行准分子激光退火处理，使非晶硅层(3)结晶、转变为多晶硅层，并去除所述氧化硅层(4)；

步骤5、通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层进行图案化处理，形成间隔排列的位于显示区域的第一多晶硅段(31)与位于驱动区域的第二多晶硅段(32)；

步骤6、分别在所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并分别在N型重掺杂与N型轻掺杂区域掺杂不同剂量的P31，得到轻掺杂漏区；

步骤7、在所述缓冲层(2)、第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)上沉积并图案化栅极绝缘层(5)；

步骤8、在所述栅极绝缘层(5)上对应第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)的上方分别沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极(61)、及第二栅极(62)；

步骤9、在所述栅极绝缘层(5)上形成层间绝缘层(7)，并在所述栅极绝缘层(5)与层间绝缘层(7)上对应所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)两侧的N型重掺杂区域上方形成过孔(70)；

步骤10、在所述层间绝缘层(7)上沉积并图案化第二金属层，形成第一源/漏极(81)、及第二源/漏极(82)，

所述第一源/漏极(81)与第二源/漏极(82)分别经由所述过孔(70)与所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)两侧的N型重掺杂区域相接触。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(2)的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘层(7)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一栅极(61)与第二栅极(62)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6用两次光罩通过黄光光阻分别定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并分别在N型重掺杂与N型轻掺杂区域掺杂不同剂量的P31，得到轻掺杂漏区。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，通过沉积、黄光、及蚀刻制程得到所述栅极绝缘层(5)、第一栅极(61)、第二栅极(62)、过孔(70)、第一源/漏极(81)、及第二源/漏极(82)。

7.一种低温多晶硅TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上间隔排列的第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)、分别设于所述第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)上的第一源/漏极(81)与第二源/漏极(82)、设于所述缓冲层(2)、第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)上的栅极绝缘层(5)、设于所述栅极绝缘层(5)上分别位于第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)上方的第一栅极(61)与第二栅极(62)、及设于所述栅极绝缘层(5)、第一栅极(61)及第二栅极(62)上的层间绝缘层(7)，所述第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)的两侧为N型重掺杂区域，所述第一源/漏极(81)与第二源/漏极(82)分别经由一过孔(70)与所述第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)两侧的N型重掺杂区域相接触；

所述低温多晶硅TFT基板包括显示区域与驱动区域，所述第一多晶硅段(31)位于所述低温多晶硅TFT基板的显示区域，所述第二多晶硅段(32)位于所述低温多晶硅TFT基板的驱动区域，所述第一多晶硅段(31)的结晶晶粒小于所述第二多晶硅段(32)的结晶晶粒，且所述第一多晶硅段(31)的结晶均匀度大于所述第二多晶硅段(32)的结晶均匀度。

8.如权利要求7所述的低温多晶硅TFT基板结构，其特征在于，所述缓冲层(2)的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。