[发明专利]一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于制备步骤如下：

1)、分别采用分析纯ZrOCl₂·8H₂O为锆源，Y(NO₃)₃·6H₂O为钇源，加入去离子水配制成浓度为0.4-0.8mol/L的ZrOCl₂溶液；

2)、以H₂C₂O₄·2H₂O为沉淀剂，加入去离子水，配制成H₂C₂O₄溶液；将ZrOCl₂溶液缓慢滴加到H₂C₂O₄溶液中，制备成溶胶前驱体；

3)、以聚乙烯醇(PVA)溶液作为分散剂，乙酰丙酮作为溶胶稳定剂，分别加入到溶胶前驱体当中；

4)、旋涂；以单晶Si作为衬底，匀胶机的转速为7000-9000r/min，旋转时间为50-100s；

5)、分级干燥处理，80℃保温15-30min，50℃保温30-60min，30℃保温30-60min；将干燥好的薄膜进行预烧结处理后再重复旋涂的步骤进行多次涂膜；

6)、烧结：涂膜阶段完成后，进行烧结处理，即可获得稳定立方相的氧化锆薄膜。

2.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤1)锆源和钇源中Zr:Y的摩尔比为0.92:0.16。

3.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤2)中H₂C₂O₄溶液与ZrOCl₂溶液浓度比为0.5-1。

4.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤3)中PVA的质量浓度为5％-10％，溶胶前驱体当中PVA的质量分数为8％-12％，乙酰丙酮的体积分数为3％-5％。

5.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤5)中预烧结处理温度为300-400℃，时间为20-50min。

6.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤6)中烧结处理温度为500-1200℃，保温0.5-1.5h。