[发明专利]一种OLED显示器在审
申请号: | 201410815982.X | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN104485348A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 张为苍;赵云;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
目前,OLED显示器可分为底部发射型和顶部发射型。如图1所示的底部发射型OLED显示器,OLED显示器的盖板1’主要是采用的玻璃或其他透明的盖板,而OLED显示器的像素顶部设有具有发射作用的阴极层3’,在圆偏光片2’的消光作用下,显示器的中央(有反射镜面区域的阴极层)呈现黑色底色,而显示器的四周边框不呈现黑色底色,导致显示器整个显示效果不一致,影响显示器的显示性能。现有技术采用黑色基材提高对比度,指的是通过印黑色油墨,或黑色保护纸,然而一般油墨或黑色保护纸容易划伤,且效率低下,一般都是小片操作(切割成单粒panel),需要手动或半手动操作,使得显示器的制造成本增加且容易产生不良率。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种OLED显示器。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种OLED显示器,包括:
一基板;
与基板相对设置的盖板,所述盖板与基板密封连接成一密闭空腔;
在所述密闭空腔内设有位于所述基板一侧上的发光区和非发光区,且所述非发光区围绕所述发光区;
设置在所述基板另一侧且在光发射方向上的圆偏光片层;
覆盖在所述盖板上的反射层。
进一步地,所述反射层设置在所述盖板内侧或外侧。
进一步地,所述反射层为Ag、Al、Mo和Cr中的至少一种。
进一步地,所述反射层的厚度为20~200 nm。
进一步地,所述反射层是以溅射或蒸镀方法形成。
一种OLED显示器,包括:
一基板;
与基板相对设置的盖板,所述盖板与基板密封连接成一密闭空腔;
在所述密闭空腔内设有位于所述基板一侧上的发光区和非发光区,且所述非发光区围绕所述发光区;所述发光区包含至少一像素,所述像素顶部设有具有反射功能的第二电极层;
设置在所述基板另一侧且在光发射方向上的圆偏光片层;
覆盖在所述盖板上的反射层或位于所述盖板上且与所述非发光区对应的反射层。
进一步地,所述反射层设置在所述盖板内侧或外侧。
进一步地,所述反射层为Ag、Al、Mo和Cr中的至少一种。
进一步地,所述反射层的厚度为20~200 nm。
一种OLED显示器,包括:
一基板;
与基板相对设置的盖板,所述盖板与基板密封连接成一密闭空腔;
在所述密闭空腔内设有位于所述基板一侧上的发光区和非发光区,且所述非发光区围绕所述发光区;所述发光区包含至少一像素,所述像素底部设有具有反射功能的第二电极层;
设置在所述盖板上的圆偏光片层;
覆盖在所述基板另一侧的反射层或位于所述基板另一侧上且与所述非发光区对应的反射层。
本发明具有如下有益效果:在光发射方向上设有圆偏光片层,在光发射方向的相反方向上设有反射层,且该反射层与非发光区对应或覆盖非发光区和发光区;反射层配合圆偏光片层的消光作用,使得OLED显示器不仅中心区域呈现黑色底色,且其他区域也呈现黑色底色,进一步提高显示器整体的显示效果。该反射层可以在大片基板或盖板上镀膜,自动化程度高,且镀膜不易划伤,节省制造成本且保证良好的良品率。
附图说明
图1为现有技术中OLED显示器的剖视图;
图2为本发明第一实施例的OLED显示器的剖视图;
图3为图2中A-A处的剖视图;
图4为本发明第二实施例的OLED显示器的剖视图;
图5为本发明第三实施例的OLED显示器的剖视图;
图6为本发明第四实施例的OLED显示器的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明,为了便于说明,相关附图仅以单一像素显示。
第一实施例
如图2、图3所示为底部发射型OLED显示器100的剖视图,一种OLED显示器100包括:一基板110;与基板110相对设置的盖板120,所述盖板120与基板110密封连接成一密闭空腔;在所述密闭空腔内设有位于所述基板110一侧上的发光区130和非发光区131,且所述非发光区131围绕所述发光区130;还包括设置在所述基板110另一侧且在光发射方向上的圆偏光片111层,及覆盖在所述盖板120上的反射层121。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的