[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法，其特征是：铜铟镓硒薄膜太阳电池掺 钾元素的方法包括以下工艺过程：

步骤1.在衬底上制作背电极

通过直流磁控溅射沉积系统在电池衬底上沉积与厚度为500-700nm的Mo作为 背电极；

步骤2.在背电极上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层

采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，第一步衬底温度250-300 ℃，第二步和第三步衬底温度450-480℃范围；

步骤3.铜铟镓硒吸收层薄膜进行掺钾元素处理

三步法制备铜铟镓硒吸收层工艺结束后，不关闭硒蒸发源，关闭其他金属蒸发 源，降低衬底温度到275-300℃范围内，同时对装有氟化钾元素的蒸发源加热，加 热温度为670-700℃，蒸发9-11分钟；

步骤4.制备铜铟镓硒薄膜太阳电池

在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS；i-ZnO层；透明窗口层； 减反射层和栅线电极。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法，其特征是：Mo背电 极为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度100-150nm，在高阻Mo层上再沉积 400-550nm的低阻Mo层。