[发明专利]一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法有效

专利信息
申请号: 201410811478.2 申请日: 2014-12-23
公开(公告)号: CN104532047A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 姚可夫;刘学;邵洋;陈娜 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C22C3/00 分类号: C22C3/00;C22C1/08
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 黄家俊
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 化学 合金 制备 cu ag 纳米 多孔 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:制备Zr-Cu-Ag-Al合金:将纯Zr、纯Cu、纯Ag和纯Al按比例进行混合,在氩气气氛中,反复多次进行熔炼,待试样成分均匀后冷却得到Zr-Cu-Ag-Al合金锭;

步骤2:制备Zr-Cu-Ag-Al带合金:将步骤1中所得Zr-Cu-Ag-Al合金锭制备成Zr-Cu-Ag-Al合金带;

步骤3:脱合金:将步骤2中所得Zr-Cu-Ag-Al合金带置于氢氟酸溶液中,在室温下放置进行化学脱合金;

步骤4:清洗干燥:将步骤3中所得脱合金后的Zr-Cu-Ag-Al合金带取出,分别使用去离子水和酒精浸泡清洗,然后再置于酒精中并进行超声波分散处理,干燥后得到Cu-Ag纳米多孔片结构。

2.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤1中纯Zr、纯Cu、纯Ag和纯Al的原子比为Zr:Cu:Ag:Al=48:36:8:8。

3.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤1中熔炼过程采用采用电弧熔炼或感应熔炼方法。

4.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤2中制备Zr-Cu-Ag-Al合金带采用单辊旋淬的方法。

5.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤2中所得Zr-Cu-Ag-Al合金带的厚度为20μm~100μm,宽度大于2mm,长度为2m以上。

6.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤3中将步骤2中所得Zr-Cu-Ag-Al合金带截断进行脱合金,截断后的长度为20mm~50mm。

7.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤3中氢氟酸溶液的浓度为0.05mol/L。

8.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述步骤3中化学脱合金时间为24小时。

9.根据权利要求1所述的一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,所述Cu-Ag纳米多孔片结构的厚度不大于100nm,孔径不大于100nm。

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