[发明专利]Ga2

权利要求书

1.一种Ga₂O₃系晶体膜的成膜方法，其特征在于，

在Ga₂O₃系基板的面方位为(001)的主面上，通过MBE法以750℃以上且775℃以下的生长温度使Ga₂O₃系晶体膜外延生长。

2.根据权利要求1所述的Ga₂O₃系晶体膜的成膜方法，其中，

上述Ga₂O₃系晶体膜的主面具有在1μm见方区域中的RMS值为1nm以下的平坦性。

3.根据权利要求1或2所述的Ga₂O₃系晶体膜的成膜方法，其中，

上述Ga₂O₃系晶体膜为Ga₂O₃晶体膜。

4.一种晶体层叠结构体，其特征在于，包括：

Ga₂O₃系基板，其主面的面方位为(001)；以及

外延生长膜，其在上述Ga₂O₃系基板的上述主面上形成，其主面具有在1μm见方区域中的RMS值为1nm以下的平坦性，由单相的Ga₂O₃系晶体构成。

5.根据权利要求4所述的晶体层叠结构体，其中，

由上述Ga₂O₃系晶体构成的外延生长膜是由Ga₂O₃晶体构成的外延生长膜。