[发明专利]一种具有短脉冲抑制功能的MOSFET驱动器

说明书

技术领域

本发明涉及一种MOSFET驱动器，特别是一种具有短脉冲抑制功能的MOSFET驱动器。

背景技术

金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

随着电力电子技术的发展，电力电子器件不断更新，功率MOSFET器件的性能得到快速的提升。目前MOSFET已经代替了传统的晶体管成为了中低压变流器中的主要功率器件。但是，现代MOSFET在短的脉冲驱动下可能会造成剧烈地震荡和很高的尖峰电压。因此，在MOSFET的驱动电路中，对脉冲宽度的识别和处理能力就显得格外重要。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种具有短脉冲抑制功能的MOSFET驱动器。

为解决上述的技术问题，本发明的一种具有短脉冲抑制功能的MOSFET驱动器包括脉冲抑制单元，所述脉冲抑制单元与MOS管栅极相连接，所述MOS管漏极与脉冲输出端相连接，所述脉冲抑制单元包括时钟子模块、脉冲宽度检测子模块、故障处理子模块和信号输出子模块，

所述时钟子模块用于为各子模块提供时钟信号；

所述脉冲宽度检测子模块，用于检测输入脉冲的宽度，当该脉冲宽度小于设定宽度时，该脉冲将被滤除，当脉冲宽度大于等于设定值时，该脉冲将被无损输送至所述的信号输出子模块；

所述故障处理子模块，用于检测所述比较器传送过来的故障信号脉冲，与检测所述比较器传送过来的故障信号脉冲，当有低电平脉冲时，输出低电平信号；

所述信号输出子模块，用于将所述脉冲宽度检测子模块输出的信号进行同步输出。

进一步的，所述脉冲抑制单元与脉冲输入端和故障信号输入端相连接；所述脉冲抑制单元与比较器输出端相连接，所述比较器基准输入端端通过电阻R1接地，所述比较器基准输入端通过恒流源Is2与电源Vcc相连接，所述比较器比较输入端通过恒流源Is1与电源Vcc相连接，所述比较器比较输入端通过电阻R2与二极管D1正极相连接，所述二极管D1负极与MOS管Q1漏极相连接；所述MOS管Q1漏极与脉冲输出端相连接，所述MOS管Q1栅极与放大器输出端相连接，所述脉冲输入端与脉冲抑制单元相连接，所述MOS管Q1的源极接地。

进一步的，所述恒流源Is2和Is1为集成的低温漂高精度直流恒流源。

采用上述结构后，所述具有短脉冲抑制功能的MOSFET驱动器，利用脉冲处理单元检测输入脉冲的宽度，对短脉冲进行抑制消除，同时，该脉冲处理单元可以实时检测到MOSFET的短路状态，并能实施保护。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1为本发明一种具有短脉冲抑制的MOSFET驱动器原理框图。

图2为本发明脉冲抑制单元的原理框图。

图3为本发明MOSFET驱动器输入输出波形关系示意图。

图中：1为脉冲抑制单元，2为脉冲输入端，3为故障信号输入端，4为比较器，5为放大器，6为脉冲输出端

101为脉冲宽度检测子模块，102为时钟子模块，103为故障处理子模块，104为信号输出模块

具体实施方式