[发明专利]一种多晶硅电池组件无效
| 申请号: | 201410807018.2 | 申请日: | 2014-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN104465833A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 骆晓芳 | 申请(专利权)人: | 常熟高嘉能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁红红 |
| 地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多晶 电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能光伏发电设备领域,特别是涉及一种多晶硅电池组件。
背景技术
近年来,在新能源理念的大力倡导下,太阳能光电装置逐渐在全世界范围得到推广,多晶硅太阳能组件由于其价格合理、性能良好而在市场上占有一定的份额,但是与单晶光伏组件、薄膜光伏组件类似,多晶硅组件在使用过程中会产生或多或少的功率衰减现象,从而影响其使用寿命。
多晶硅电池组件的衰减现象主要是由于组件在搬运、安装过程中震动,甚至在使用过程中受到冰雹的猛烈撞击而导致组件内部隐裂,其次是组件的受紫外线辐射后老化衰减。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种多晶硅电池组件,具有良好的强度、耐紫外光、防震性能,能有效延缓衰减现象,使用寿命长。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种多晶硅电池组件,所述多晶硅电池组件自上而下依次由第一钢化玻璃、第一胶膜、多晶硅电池串、第二胶膜、反射板、第三胶膜和第二钢化玻璃层叠后经层压工艺构成,所述第一钢化玻璃的上表面上热压合有一层纳米二氧化钛薄膜层,所述第一钢化玻璃的下表面上热压合有一层抗紫外线涂层,所述第二钢化玻璃的上表面上热压合有一层弹性橡胶层。
在本发明一个较佳实施例中,所述反射板是由金属箔制成的光反射板。
在本发明一个较佳实施例中,所述纳米二氧化钛薄膜层的厚度为50-70nm。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一胶膜、第二胶膜和第三胶膜均采用EVA胶膜。
本发明的有益效果是:本发明组件采用钢化玻璃封装,具有强度高、耐冲击性能好、透光率高的特点,同时上层第一钢化玻璃上表面上设有纳米二氧化钛薄膜层,其具有高效自洁性,能有效去除第一钢化玻璃表面吸附的灰尘颗粒,第一钢化玻璃的下表面设有抗紫外线涂层,可以防止多晶硅电池串受紫外线辐射后功率衰减,并且还增设有反射层,可对从多晶硅电池串空隙中射入的可见光进行反射,提高多晶硅电池串的光电转化率,此外第二钢化玻璃的上表面设有弹性橡胶层,具有良好的减震抗震作用。故本发明组件具有良好的强度、耐紫外光、防震性能,能有效延缓衰减现象,使用寿命长。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
一种多晶硅电池组件,所述多晶硅电池组件自上而下依次由第一钢化玻璃、第一胶膜、多晶硅电池串、第二胶膜、反射板、第三胶膜和第二钢化玻璃层叠后经层压工艺构成;所述第一钢化玻璃的上表面上热压合有一层纳米二氧化钛薄膜层,其具有高效自洁性,能有效去除第一钢化玻璃表面吸附的灰尘颗粒,防止第一钢化玻璃表面灰尘层积影响组件的光电转化率和使用寿命;所述第一钢化玻璃的下表面上热压合有一层抗紫外线涂层,可以防止多晶硅电池串受紫外线辐射后功率衰减;所述第二钢化玻璃的上表面上热压合有一层弹性橡胶层,能有效延缓衰减现象,避免组件搬运和安装过程中受震引起组件内部隐裂问题。
其中,所述反射板是由金属箔制成的光反射板,具有良好的可见光反射性能。
所述纳米二氧化钛薄膜层的厚度为50-70nm,具有高效自洁性。
所述第一胶膜、第二胶膜和第三胶膜均采用EVA胶膜,粘结性好、耐老化、透光率高。
本发明揭示了一种多晶硅电池组件,采用钢化玻璃封装,具有强度高、耐冲击性能好、透光率高的特点,增设有反射层,可对从多晶硅电池串空隙中射入的可见光进行反射,提高多晶硅电池串的光电转化率,此外第一钢化玻璃上表面设有纳米二氧化钛薄膜层、下表面设有抗紫外线涂层,具有自洁性和抗紫外线辐射性能,第二钢化玻璃的上表面设有弹性橡胶层,具有良好的减震抗震作用。故本发明组件具有良好的强度、耐紫外光、防震性能,能有效延缓衰减现象,使用寿命长。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





