[发明专利]一种有机发光二极管和有机发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：第一基板，以及与所述第一基板对应的第二基板；

所述第一基板包括：第一衬底、形成在所述第一衬底上的像素定义层、形成在所述像素定义层限定区域内的有机发光层；

所述第二基板包括：第二衬底，位于所述第二衬底的面向所述第一衬底的一面且与所述像素定义层相对设置的栅格。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，采用刻蚀技术在所述第二衬底的面向所述第一衬底的一面制成所述栅格。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，面向所述第一衬底的所述栅格的垂直截面形状为倒梯形结构、倒三角形结构、长方形结构或半圆形结构。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述栅格围绕在与其对应的所述像素定义层限定的有机发光层的四周，其中，所述栅格的高度为从所述第二衬底的面向所述第一衬底的一面到所述像素定义层的垂直高度，所述栅格的垂直截面的最大宽度小于或等于与其对应的所述像素定义层垂直截面的最大宽度。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述栅格的材料与所述第二衬底的材料相同，或者

所述栅格的材料为透明导电薄膜有机材料或高透过率有机材料。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述栅格的折射率与所述第二衬底的折射率的差值绝对值小于或等于0.3。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板之间封装的材料为惰性气体或液体干燥剂；所述惰性气体或液体干燥剂的折射率小于所述栅格的折射率。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述惰性气体或液体干燥剂的折射率在1-1.2之间。

9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光层发出的光线入射到所述栅格内时，所述光线在所述栅格的斜边发生全反射，从该有机发光层上方的第二衬底区域上出射。

10.一种有机发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上形成像素定义层，以及在所述像素定义层限定区域内形成有机发光层，以制成第一基板；

在第二衬底的面向所述第一衬底的一面且相对于所述像素定义层的位置上形成栅格，以制成第二基板；

将所述第二基板与所述第一基板相对设置并封装，其中，所述栅格与其对应的所述像素定义层相接触。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，采用刻蚀技术在所述第二衬底的面向所述第一衬底的一面制成所述栅格。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板之间封装的材料为惰性气体或液体干燥剂。