[发明专利]具有线型气隙的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成第一层间电介质层；

通过刻蚀所述第一层间电介质层形成第一接触孔；

形成填充所述第一接触孔的初步第一导电插塞；

在所述初步第一导电插塞之上形成包括位线的位线结构；

通过刻蚀由所述位线结构暴露出的全部所述初步第一导电插塞来形成第一导电插塞和间隙，使得在所述第一接触孔的侧壁和所述第一导电插塞之间、于所述第一接触孔的内部形成所述间隙；

在所述间隙中形成绝缘插塞；

形成多层间隔件，所述多层间隔件包括牺牲间隔件，且从所述绝缘插塞的上部之上延伸至所述位线结构的侧壁之上；

形成与所述位线结构和所述第一导电插塞相邻的第二导电插塞，所述多层间隔件和所述绝缘插塞位于所述位线结构和所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间；以及

通过去除所述牺牲间隔件在所述多层间隔件内形成线型气隙。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘插塞包括：

在所述间隙之上以及在所述位线结构之上以内衬图案形成保护间隔件；

在所述保护间隔件之上形成填充所述间隙的插塞间隔件层；以及

通过图案化所述插塞间隔件层使得所述插塞间隔件层凹陷在所述间隙中来形成所述绝缘插塞。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述保护间隔件和所述绝缘插塞分别包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电插塞包括：

在位于所述位线结构和相邻的位线结构之间的所述多层间隔件之上形成第二层间电介质层；

通过图案化所述第二层间电介质层来形成第二接触孔；

延伸所述第二接触孔以暴露出所述衬底的表面；以及

形成填充所述第二接触孔的导电层；以及

通过将所述导电层凹陷来形成所述第二导电插塞。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述线型气隙包括：

在所述多层间隔件之上以及在所述第二导电插塞之上形成第三导电插塞；

通过利用所述第三导电插塞作为刻蚀阻挡来部分地刻蚀所述多层间隔件而暴露出所述牺牲间隔件；以及

去除所述牺牲间隔件以形成所述线型气隙。

6.如权利要求5所述的方法，其中，形成所述多层间隔件包括：

在包括所述绝缘插塞的所述衬底之上以及在所述位线结构之上形成第一间隔件层；

在所述第一间隔件层之上形成牺牲间隔件层；

将所述牺牲间隔件层和所述第一间隔件层图案化以形成所述牺牲间隔件和第一间隔件；以及

形成密封所述牺牲间隔件和所述第一间隔件的第二间隔件层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一间隔件层和所述第二间隔件层每个都包括氮化硅，所述牺牲间隔件层包括氧化硅。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一导电插塞和所述第二导电插塞每个都包括多晶硅，所述第三导电插塞包括金属材料。

9.如权利要求5所述的方法，还包括：

在形成所述线型气隙之后，形成覆盖所述线型气隙的覆盖层；以及

形成与所述第三导电插塞耦接且延伸穿过所述覆盖层的存储元件。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第一层间电介质层之前，在所述衬底中形成掩埋字线。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底的外围电路区中形成平面栅结构，

其中，在与形成所述第一导电插塞和所述位线结构大体相同的时间形成所述平面栅结构。