[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，包括：

基底；

第一堆叠结构，包括第一导体层与第二导体层，其中该第一导体层与该第二导体层依序堆叠于该基底上且相互隔离；

第二堆叠结构，与该第一堆叠结构分离设置，且包括第三导体层与第四导体层，其中该第三导体层与该第四导体层依序堆叠于该基底上且相互连接；

第五导体层，作为抹除栅极，设置于该第一堆叠结构远离该第二堆叠结构的一侧的该基底上；

第一掺杂区，设置于该第五导体层下方的该基底中；以及

第二掺杂区，设置于该第二堆叠结构远离该第一堆叠结构的一侧的该基底中，

该第一堆叠结构还包括第一间隙壁，设置于该第二导体层的侧壁上，且位于部分该第一导体层上，且

该第二堆叠结构还包括第二间隙壁，设置于该第四导体层的侧壁上，且位于部分该第三导体层上。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第一介电层，设置于该第一导体层与该基底之间以及该第三导体层与该基底之间。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中

该第一堆叠结构还包括第二介电层，设置于该第一导体层与该第二导体层之间，且

该第二堆叠结构还包括第三介电层，设置于该第三导体层与该第四导体层之间且具有一开口，其中该第四导体层穿过该开口而连接至该第三导体层。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该第一导体层与该第三导体层源自于同一导体材料层。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该第二导体层与该第四导体层源自于同一导体材料层。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该第二堆叠结构的形状包括矩形。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第四介电层，设置于该第一堆叠结构与该第二堆叠结构之间。

8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第五介电层，设置于该第五导体层与该第一堆叠结构之间以及该第五导体层与该基底之间。

9.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第三堆叠结构与第四堆叠结构，其中

该第三堆叠结构与该第一堆叠结构为相同的组件，且对称设置于该第五导体层的两侧，

该第四堆叠结构与该第二堆叠结构为相同的组件，且对称设置于该第五导体层的两侧。

10.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第三掺杂区，该第三掺杂区与该第二掺杂区对称设置于该第五导体层的两侧的该基底中。

11.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：

在一基底上形成分离设置的第一堆叠结构与第二堆叠结构，其中该第一堆叠结构包括第一导体层与第二导体层，该第一导体层与该第二导体层依序堆叠于该基底上且相互隔离，该第二堆叠结构包括第三导体层与第四导体层，该第三导体层与该第四导体层依序堆叠于该基底上且相互连接；

在该第一堆叠结构远离该第二堆叠结构的一侧的该基底上形成作为抹除栅极的一第五导体层；

在该第五导体层下方的该基底中形成一第一掺杂区；以及

在该第二堆叠结构远离该第一堆叠结构的一侧的该基底中形成一第二掺杂区，

其中该制造方法还包括：

在该第二导体层的侧壁上形成一第一间隙壁，且该第一间隙壁位于部分该第一导体层上；以及

在该第四导体层的侧壁上形成一第二间隙壁，且该第二间隙壁位于部分该第三导体层上。

12.如权利要求11所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括于该第一堆叠结构与该基底之间以及该第二堆叠结构与该基底之间形成一第一介电层。