[发明专利]一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法在审
| 申请号: | 201410801879.X | 申请日: | 2014-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN105758907A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
| 发明(设计)人: | 金庆辉;金妍;刘丹;黄善洛;王晓冬;邵云;许宝建;赵建龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海蓝迪数码科技有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 重金属 离子 检测 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种碳纳米线微阵列电极制备方法,更确切地说本发明涉及一种用于重金属离子检测的微阵列电极的制备,以及基于此方法制备的电极用于重金属离子的检测,属于传感器技术领域。
背景技术
重金属是指原子密度大于5g/cm3的金属元素,大约有45种,如铜、铅、锌、镉、锰、铁、钴、镍、钒、汞、金、银等。重金属离子浓度一直是环境监测领域的一个重要指标,能够精确实时地检测重金属离子的浓度具有重要的意义,同时也是各种重金属检测方法的最终目标。
目前检测重金属的方法主要有以下几种:原子荧光光度法(AFS)、电感耦合等离子体质谱分析技术(ICP-MS)、电化学分析法、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、高效液相色谱法(HPLC)、酶抑制法、免疫分析法、生物传感器等。其中电化学分析方法的测量信号是电导、电位、电流、电量等电信号,不需要分析信号的转换就能直接记录,所以电化学分析的仪器装置可以做到简单小型化,易于实现自动化和连续分析,是一种公认的快速、灵敏、准确的痕量分析方法,这也是本申请采用电化学分析法的理论依据。
本领域的技术人员均知晓,电化学分析方法的基本原理是在待测溶液中插入特制的电极,并在电极上施加特定的电压波形,促使溶液中发生电化学反应,电极上将流过与溶液中物质组分相关的法拉第电流,采集并分析电流值即可获得物质组分的构成信息。电化学反应电极,尤其是工作电极,是电化学分析方法的核心部件。对于溶出伏安法,一般采用三电极体系以消除iR降的影响,三电极包括参比电极、对电极(辅助电极)和工作电极。其中参比电极一般使用饱和甘汞电极或Ag/AgCl电极,对电极一般使用化学惰性的铂电极,而工作电极的种类则很多,大致可分为汞电极与固体电极两大类。
固体电极是目前研究的重点,其优点是能在较正的电势下使用,可以被电机带动高速旋转,在连续流动监测体系方面使用方便无污染。固体电极的制备简单,材料形状等也可根据需要设计,常见的形状有盘状、网状、丝状、管状、球状等,所使用的材料大多为贵金属与各式碳电极,如Pt、Au、Ag、碳和石墨等。
碳是固体电极常用的一种材料,碳材料的优势是显著的,它具有比硅更完美的晶格结构、较宽的电化学稳定工作窗口、化学惰性、良好的生物兼容性和导电导热性,同时其制备简便、造价低。传统的碳电极制备主要基于玻璃碳与碳糊。玻璃碳简称玻碳,是将聚丙烯腈树脂或酚醛树脂等在惰性气氛中缓慢加热至高温(达1800℃)处理成外形似玻璃状的非晶形碳,导电性好,化学稳定性高,适于作电极材料。但一般不直接使用玻碳,而是作为化学修饰电极的基底。碳糊电极(carbonpasteelectrode,简称CPE)是利用导电性的石墨粉(颗粒度0.02mm~0.01mm)与憎水性的粘合剂(如石蜡、硅油等)混合制成糊状物,然后将其涂在电极棒表面或填充入电极管中而制成的一类电极。与玻碳电极类似,单纯的碳糊电极性能有限,但可以通过电极修饰的方法使碳糊电极具有一定的功能,即化学修饰碳糊电极。
本发明基于MEMS制造工艺,选择负性光刻胶材料制造纳米级的碳微阵列电极,以显著提高电极的性能,用于痕量重金属离子的检测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法,本发明的特征在于基于MEMS制造的工艺的碳纳米线微阵列电极制造方法,及基于此电极的重金属离子检测方法,克服现有的重金属离子检测电极的缺点,提高检测灵敏度和缩短检测时间。
一种碳纳米线微阵列电极,其特征在于,采用负性光刻胶SU-8,基于因几何结构限制引起负性光刻胶刻蚀速率分布不同的现象,通过控制显影时间来控制亚微米级光刻胶丝线阵列的形成,然后将样品置于N2(95%)+H2(5%)(体积比)混合气体保护下,经高温热解形成碳纳米线微阵列。
更进一步的特征在于提供的碳纳米线微阵列电极,包括以下步骤:(1)清洗硅片:将硅片浸泡于浓硫酸和双氧水混合液中煮沸,去离子水冲洗干净,吹干和烘干。(2)光刻图形化:在硅片上旋涂负性光刻胶,将前烘好的光刻胶进行光刻处理。(3)显影:经过曝光的硅片放入显影液中显影,期间可以轻微晃动显影液,以加快显影速率,再将硅片置于清洗液中清洗,然后甩干,即可发现在小微柱之间有亚微米级光刻胶丝线的形成。(4)热解碳化:将硅片置于退火炉中,在N2(95%)+H2(5%)(体积比)混合气体保护下,热解碳化形成碳纳米线阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海蓝迪数码科技有限公司,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海蓝迪数码科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410801879.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





