[发明专利]半导体圆片级封装工艺

权利要求书

1.一种半导体圆片级封装工艺，其特征在于，包括：

在再配线层上的非焊接位置形成树脂层；

在再配线层的焊接位置填充焊料；

在所述焊接位置植入焊球。

2.根据权利要求1所述的半导体圆片级封装工艺，其特征在于，所述“在再配线层上的非焊接位置形成树脂层”具体包括：

在再配线层的上表面贴干膜；

对所述干膜进行图形曝光显影形成干膜图形；

在所述再配线层上进行树脂印刷形成树脂层，且所述树脂层覆盖所述干膜图形；

对所述树脂层减薄使得所述干膜图形的剩余高度达到预定值；

剥离剩余的所述干膜使得剥离处形成焊接位置。

3.根据权利要求2所述的半导体圆片级封装工艺，其特征在于，在所述“剥离剩余的所述干膜使得剥离处形成焊接位置”之后，还包括：

对所述焊接位置进行清洗。

4.根据权利要求3所述的半导体圆片级封装工艺，其特征在于，所述“对所述焊接位置进行清洗”具体包括：

采用加热和/或离子清洗法对所述焊接位置进行清洗。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体圆片级封装工艺，其特征在于，所述“在所述焊接位置植入焊球”具体包括：

将焊球置于所述焊料上；

以及，

采用回流焊将所述焊球固定于所述焊接位置。