[发明专利]低漂移电压基准

权利要求书

1.一种包括耦合至电路元件的齐纳二极管的电压基准电路，所述电路元件经配置以生成负基极-发射极电压差ΔVbe组件，负ΔVbe组件补偿所述齐纳二极管的正温度系数的响应特性，以在电压基准电路的输出提供电压基准。

2.根据权利要求1所述的电压基准电路，包括第一负基极-发射极电压差ΔVbe块和第二负基极-发射极电压差ΔVbe块，所述第一块和第二块互相被级联。

3.根据权利要求1的电压基准电路，其中，所述电路元件包括具有第一发射极区的第一双极晶体管和具有不同的第二发射极区的第二双极型晶体管。

4.根据权利要求3所述的电压基准电路，包括耦合到所述第一双极晶体管的每个基极和集电极的第三双极晶体管。

5.根据权利要求3所述的电压基准电路，包括耦合到每个所述第一双极晶体管和第二双极晶体管的MOS设备，使得每个所述第一双极晶体管和第二双极晶体管之间的基极-发射极电压差跨MOS设备反射。

6.根据权利要求1所述的电压基准电路，其中所述电路元件被布置在单元中，所述单元包括：

布置在单元的第一、第二和第三臂并经配置以在单元的输出产生正比于绝对温度的电压的多个双极晶体管，所述单元依赖于所述多个双极晶体管的各个输出端，和

其中，每个所述第一臂，第二臂和第三臂都连接至单个偏压电流，使得所述偏置电流被分成每个臂，以及每个臂补偿其他臂的基极电流的变化。

7.根据权利要求6所述的电压基准电路，其中，在单元的输出提供的与绝对温度成正比的电压涉及在第一集电极电流密度运行从第一组双极晶体管和以第二低级集电极电流密度运行的第二组双极晶体管的发射极比产生的基极-发射极电压差ΔVbe，所述单元被连接到所述齐纳二极管，以便提供ΔVbe作为负ΔVbe贡献，以平衡齐纳二极管的正温度系数响应特性。

8.根据权利要求7所述的电压基准电路，包括MOS设备，并且其中从发射极区域比所产生的基极-发射极电压差跨MOS设备被反射到单元的输出。

9.根据权利要求6所述的电压基准电路，其中，每个臂包括在PNP结构中提供的至少一个晶体管，所述单元被配置成使得每个所述第一、第二和第三臂的单独PNP晶体管的发射极耦合到由相同的偏置电流偏置的公共节点。

10.根据权利要求9所述的电压基准电路，其中，所述电池的第一臂包括具有统一发射极尺寸的PNP晶体管，以及电路的第二臂包括具有多个n个发射器尺寸的PNP晶体管，所述电路经配置以在单元的输出生成第一次序的电压，其独立于偏置电流和正比于多个n。

11.根据权利要求9所述的电压基准电路，包括配置在NPN配置中的多个双极型晶体管，以及其中所述单元的第一臂和第二臂的每个包括至少一个NPN晶体管和至少一个PNP晶体管，第一臂以第一集电极电流密度操作，以及所述第二臂以第二较低集电极电流密度操作，所述电路被配置以在电池的输出产生基极发射极电压差。

12.根据权利要求11所述的电压基准电路，其中，所述NPN配置晶体管具有和PNP配置晶体管不同的发射器区域。

13.根据权利要求6所述的电压基准电路，其中，所述偏置电流由耦合到所述电路的电源电压的电流源提供。

14.根据权利要求6所述的电压基准电路，其中，第三臂的各晶体管设置在二极管连接配置中。

15.根据权利要求1所述的电压基准电路包括修整节点，由此微调电流可以被引入到该电路以改变所述电路的温度系数特性。

16.根据权利要求15所述的电压基准电路，其中，所述修整电流加入到电路或从电路去除，以改变该电路的温度系数特性。

17.根据权利要求16所述的电压基准电路，其中，所述微调电流耦合到电路元件，所述电路元件经配置以产产生负基极-发射极电压差ΔVbe组件。