[发明专利]一种硅片表面倒金字塔结构的制备方法

权利要求书

1.一种硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在硅片表面制备氯化铯岛结构；

步骤2：在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层钛金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的钛金属薄膜，在硅片表面得到多孔钛薄膜；

步骤3：以多孔钛薄膜为掩膜对硅片表面进行各向异性腐蚀；

步骤4：去除硅片表面的多孔钛薄膜，在硅片表面得到倒金字塔结构。

2.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤1中所述硅片，厚度0.2毫米-0.5毫米，P型，电阻率为1Ω·cm-10Ω·cm，表面为抛光面。

3.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤1中所述在硅片表面制备氯化铯岛结构，是采用氯化铯自组装技术实现的，氯化铯岛结构的直径在500-1500纳米，厚度为200-7000埃。

4.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤2中所述在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层钛金属薄膜，是采用热蒸发的方法实现的，钛金属薄膜的厚度为40纳米。

5.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤3中所述以多孔钛薄膜为掩膜对硅片表面进行各向异性腐蚀，是采用碱性溶液对硅片表面进行各向异性腐蚀。

6.根据权利要求5所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中含有质量分数为1.5％的氢氧化钠，质量分数为1.5％的硅酸钠，以及体积分数为6.5％的异丙醇。

7.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤4中所述去除硅片表面的多孔钛薄膜，是采用体积分数为5％的氢氟酸溶液实现的。

8.根据权利要求1所述的硅片表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，步骤4中所述在硅片表面得到的倒金字塔结构，其平均尺寸为500纳米到2微米，位置无序地分布在硅片表面。