[发明专利]一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：

在预制基底上形成半导体材料层；

在所述半导体材料层上形成中间层；

在所述中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对所述光阻层进行第一次曝光；

按一预定方向相对于所述光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用所述光罩对所述光阻层进行第二次曝光；

去除所述光阻层上受到曝光的光阻材料，以在所述光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，所述光阻区包括中心部和翼部，所述镂空区不包含光阻材料；

以所述光阻区为掩膜，在所述半导体材料层中形成对应于所述翼部的离子轻掺杂区，以及对应于所述镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩包括遮光区域和透光区域。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在按预定方向移动所述预制基底时，所述方向及移动的距离配合设计成使得所述光罩的遮光区域覆盖所述光阻层上经过曝光后的区域中的第一部分和所述光阻层上未曝光区域中的第二部分。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一部分的宽度与需生成的离子轻掺杂区的宽度相等。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光阻区的中心部由所述光阻层上在经过两次曝光后未被曝光的部分形成，所述光阻区的翼部由所述光阻层上在经过两次曝光后只经过一次曝光的部分形成。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述预制基底包括栅极金属层及所述栅极金属层上的栅极绝缘层，所述中间层为层间绝缘层。

7.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述中间层包括栅极绝缘层及该栅极绝缘层上的用于形成栅极的栅极金属层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述离子轻掺杂区和形成所述离子重掺杂区的步骤包括：

去除所述栅极金属层中对应于所述镂空区的金属材料；

进行高浓度离子植入，以在所述半导体材料层中对应于所述镂空区形成离子重掺杂区；

去除所述光阻区的翼部以裸露出所述栅极金属层；

蚀刻掉裸露出的栅极金属层；

进行低浓度离子植入，以在所述半导体材料层中对应于去除的翼部形成离子轻掺杂区。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述半导体材料层之前还包括在所述预制基底上形成一缓冲层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之前还包括在所述预制基底上形成与所述半导体材料层对应的遮光层。